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J-GLOBAL ID：201902283109374281   整理番号：19A1394255

磁歪Fe_65Co_35薄膜に基づく応力補償MEMS磁気アクチュエータ【JST・京大機械翻訳】

Stress compensated MEMS magnetic actuator based on magnetostrictive Fe₆₅Co₃₅ thin films

著者 (3件)： Singh Jitendra (Smart Sensors Area, CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute Pilani, Rajasthan, 333031, India) ,  Kumar Ajay (Smart Sensors Area, CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute Pilani, Rajasthan, 333031, India) ,  Arout Chelvane J. (Advanced Magnetics Laboratory, Defence Metallurgical Research Laboratory, Kanchanbagh, Hyderabad, 500058, India)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 294  ページ： 54-60  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe_65Co_35薄膜に基づく応力補償MEMS磁気アクチュエータを開発した。磁気アクチュエータを,有限要素法を用いて,25kHzの機械的共振周波数のために設計した。カンチレバー層スタックは,二酸化ケイ素(SiO_2)層応力が圧縮性で,Fe_65Co_35層が自然に引張るSi/SiO_2/Fe_65Co_35多層から成る。二層組合せは,応力補償された非変形放出マイクロアクチュエータをもたらす膜応力を無効にする。さらに,カンチレバーを圧電ディスクに搭載し,レーザDoppler振動計を用いて測定した実験的共振周波数は約25.275kHzであることが分かった。これはシミュレーションした共振周波数に近い。カンチレバー偏向法を用いて,測定した磁歪係数(λ)は135ppmであることが分かった。本研究はまた,二分子層における応力補償に基づく種々の応力補償磁気MEMSデバイスを実現する可能性を示唆した。さらに,結果は,補償機構が信頼できるデバイス製作と操作のための磁気MEMSデバイスに適用できることを示した。開発した磁歪マイクロアクチュエータは,低磁場センシングと作動応用のための磁気MEMSにおける潜在的応用を有する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  円板 ,  二酸化ケイ素 ,  *磁歪 ,  マイクロアクチュエータ ,  圧電気 ,  *MEMS ,  片持梁 ,  *磁気 ,  有限要素法 ,  *薄膜 ,  偏向
準シソーラス用語： レーザDoppler振動計 ,  二層 ,  *磁気アクチュエータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 片持梁 ,  磁気 ,  MEMS ,  磁歪

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁歪 ,  薄膜 ,  応力 ,  補償 ,  MEMS ,  磁気アクチュエータ