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J-GLOBAL ID:201902283195230756   整理番号:19A2507021

80%以上の充填率を持つ高性能ペロブスカイト太陽電池のためのドーパントを含まない共平面D-π-D正孔輸送材料の合理的設計【JST・京大機械翻訳】

Rational Design of Dopant-Free Coplanar D-π-D Hole-Transporting Materials for High-Performance Perovskite Solar Cells with Fill Factor Exceeding 80%
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 39  ページ: e1901268  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,2つの新しいD-π-D正孔輸送材料(HTM)を報告し,BDT-PTZとBDT-POZと名付けた。これらは,π共役リンカーとしての4,8-ジ(ヘキシルチオ)-ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン(BDT)とドナー単位としてのN-(6-ブロモヘキシル)フェノチアジン(PTZ)/N-(6-ブロモヘキシル)フェノキサジン(POZ)から成る。上記の2つのHTMsは,無ドープHT層としてp-i-nペロブスカイト太陽電池(PSC)に配置され,それぞれ18.26%と19.16%の優れた電力変換効率を示した。特に,BDT-POZは81.7%の優れた充填因子を示し,定常状態/過渡的蛍光スペクトルおよび空間電荷制限電流法により検証されたより効率的な正孔抽出および輸送と一致した。単結晶X線回折特性化は,これらの2つの分子が多様な充填傾向を示すことを意味し,それはPSCにおける種々の界面正孔輸送能力を説明する可能性がある。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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二次電池  ,  太陽電池 

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