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J-GLOBAL ID:201902283295771929   整理番号:19A2448206

セラミックの熱伝導率に及ぼす照射誘起転位ループの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of irradiation induced dislocation loops on thermal conductivity in ceramics
著者 (6件):
資料名:
巻: 102  号: 12  ページ: 7533-7542  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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セラミック中のフォノン媒介熱輸送の制限における転位ループの役割を理解することを目的とした実験研究を提示した。数ナノメートルの直径を有する欠陥転位ループを,700°Cで1.6MeVの陽子を有する多結晶二酸化セリウム試料を照射することによって導入した。XRD分析は,照射試料がそれらの結晶構造を保持し,非常に小さい格子膨張を示し,低濃度の点欠陥を示唆することを示した。透過型電子顕微鏡を用いたさらなる微細構造のキャラクタリゼーションは,格子間型の欠陥転位ループがこれらの照射条件で期待されるように主に生成されることを明らかにした。損傷層の熱伝導率を変調熱反射法を用いて測定した。古典的Klemens-Callawayアプローチを用いた実験データの解析は,伝導率減少が主に転位ループに起因することを明らかにしたが,点欠陥とボイドはわずかな役割しか果たさなかった。これらの結果は,欠陥ループが熱伝導率の異常に大きい減少をもたらす変位原子に対するユニークな配置を提供することを実験的に確認した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  その他の無機化合物の格子欠陥  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (4件):
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