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J-GLOBAL ID：201902283330020225   整理番号：19A0658903

ハードカチオンのキレート化と求核攻撃により誘起された電極/電解質界面での不安定性【JST・京大機械翻訳】

Instability at the Electrode/Electrolyte Interface Induced by Hard Cation Chelation and Nucleophilic Attack

著者 (17件)： Yu Yi (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Yu Yi (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Maryland, Maryland, United States) ,  Baskin Artem (Molecular Foundry, Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Baskin Artem (Joint Center for Energy Storage Research, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Valero-Vidal Carlos (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Valero-Vidal Carlos (Joint Center for Energy Storage Research, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Hahn Nathan T. (Joint Center for Energy Storage Research, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Hahn Nathan T. (Sandia National Laboratories, New Mexico, United States) ,  Liu Qiang (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Liu Qiang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, People’s Republic of China) ,  Zavadil Kevin R. (Joint Center for Energy Storage Research, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Zavadil Kevin R. (Sandia National Laboratories, New Mexico, United States) ,  Eichhorn Bryan W. (Department of Chemistry and Biochemistry, University of Maryland, Maryland, United States) ,  Prendergast David (Molecular Foundry, Materials Science Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Prendergast David (Joint Center for Energy Storage Research, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Crumlin Ethan J. (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States) ,  Crumlin Ethan J. (Joint Center for Energy Storage Research, Lawrence Berkeley National Laboratory, California, United States)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 19  ページ： 8504-8512  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学は必ずしも界面プロセスの科学であり,電極/電解質界面の理解は電気化学的性能と安定性を制御するために不可欠である。望ましくない界面相互作用は合理的な材料組合せの発見と開発を妨げる。例えば,電気化学的安定性の広い窓を有するMg金属アノードに次いで,ジグリム中に溶解した電解質,マグネシウム-(II)ビス-(トリフルオロメタンスルホニル)-イミド(Mg-(TFSI)_2)を調べた。しかし,in situ tender X線光電子分光法を用いたバイアスがない場合でも,溶媒と塩の両方の固有の界面化学的不安定性を発見し,さらに,Mg2+ジカチオンキレート化と水酸化物イオンによる求核攻撃により駆動される第一原理計算を用いて説明した。提案した機構は,ハードカチオンのキレート化を伴う吸湿性環境における金属表面近傍または金属表面上の化学に一般的であり,このクラスの電解質内の化学的不安定性を克服するための可能な合成戦略を示す。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イミド ,  *カチオン ,  *界面 ,  バイアス ,  計算 ,  *不安定性 ,  アノード ,  電気化学 ,  界面化学 ,  *キレート化 ,  *電解質 ,  マグネシウム
準シソーラス用語： 金属表面 ,  第一原理計算 ,  二価カチオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

物質索引 (1件)： ジグリム

タイトルに関連する用語 (8件)： カチオン ,  キレート化 ,  核 ,  攻撃 ,  誘起 ,  電解質 ,  界面 ,  不安定性