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J-GLOBAL ID：201902283373452581   整理番号：19A1342611

高秩序ZnO薄膜の光電子特性に及ぼす焼なましパラメータの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of annealing parameters on optoelectronic properties of highly ordered ZnO thin films

著者 (4件)： Malik Gaurav (Thin Film Laboratory, Institute Instrumentation Centre, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, 247667, India) ,  Mourya Satyendra (Thin Film Laboratory, Institute Instrumentation Centre, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, 247667, India) ,  Jaiswal Jyoti (Thin Film Laboratory, Institute Instrumentation Centre, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, 247667, India) ,  Chandra Ramesh (Thin Film Laboratory, Institute Instrumentation Centre, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, 247667, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 100  ページ： 200-213  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ITO被覆ガラス基板上のスパッタ蒸着酸化亜鉛(ZnO)薄膜の光電子特性の調整を,アニーリングパラメータの関数として調べた。ZnO層の光電子特性を調整するためにはアニーリング処理が必要であるが,ITO基板の200°Cのアニーリング温度では電気的性質を変えることができ,ITO基板のアニーリング温度が200°CになるとITOのZnOに対する最大アニーリング温度は200°Cに制限された。六方晶構造,大きな結晶子サイズ(~24nm),最低格子歪(0.621%),最高表面粗さ(~16nm),最低R_sh(12.3KΩ/sq.)を有するZnOナノパイプの垂直に立ったアレイを200°Cで60分間アニールした試料で得た。XPS研究により,200°Cで60分間アニールした試料は最低の酸素関連空孔(23.7)を含み,ZnOを電子輸送層(ETL)として用いると容易な電子輸送が有利になることを明らかにした。SeとUV-Visの結果は,200°Cで60分間アニールした試料に対して,最高の透過率(T~89%),屈折率(480nmでn=1.98),バンドギャップ(E_g=3.30eV)の最良の光学パラメータを明らかにした。これらの結果は,ZnOナノ管ベースETLが低温,高移動度,および費用効果の高いオプトエレクトロニクスデバイスの有望な候補であることを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *焼なまし ,  *薄膜 ,  屈折率 ,  薄膜成長 ,  *光電子 ,  酸化亜鉛 ,  低温 ,  スパッタ蒸着 ,  格子歪 ,  六方晶系 ,  セレン ,  透過率
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  電子輸送 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnO薄膜 ,  スパッタリング ,  XPS ,  シート抵抗 ,  透過率 ,  分光偏光解析法

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO薄膜 ,  光電子 ,  焼なまし ,  パラメータ