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J-GLOBAL ID：201902283426411390   整理番号：19A1414748

Zn:BaAl_2O_4における誘電率の光誘起持続性増強【JST・京大機械翻訳】

Photo-induced persistent enhancement of dielectric permittivity in Zn:BaAl₂O₄

著者 (5件)： Nagai Takayuki (Department of Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8602, Japan) ,  Yamada Yasusei (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Nagoya 463-8560, Japan) ,  Tanabe Kenji (Department of Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8602, Japan) ,  Terasaki Ichiro (Department of Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8602, Japan) ,  Taniguchi Hiroki (Department of Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8602, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 23  ページ： 232902-232902-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3.4eV(365nm)のエネルギーをもつ光照射下で,スタッチド型トリジマイト型構造をもつBa(Al_0.97Zn_0.03)_2O_4-δ(BAZ)において,誘電率の光誘起持続的増強を実証した。誘電率は20%以上増大し,弱い周波数依存性を示した。誘電損失(tanδ)は1MHzまでの周波数に対してわずかな増加を示し,BAZの誘電率の増分変化は光伝導によって引き起こされないことを示した。この増強は光照射の停止に持続する。この研究の結果は,誘電率の増強の起源が,光励起双極子モーメントの誘電応答に関連していることを示唆している。これは,ギャップ内状態で捕獲された光励起電子と価電子帯最大で生成された光励起正孔から成る。これらの知見は,光照射により誘電特性を制御できるデバイスの開発を明らかにした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電損失 ,  光伝導 ,  誘電性 ,  正孔 ,  損失正接 ,  双極子モーメント ,  *誘電率 ,  光照射 ,  価電子バンド ,  周波数依存性 ,  光ポンピング
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  *持続性 ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Zn ,  誘電率 ,  光誘起 ,  持続性 ,  増強