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J-GLOBAL ID：201902283455641177   整理番号：19A2466085

純ベントナイト,複合材料および半導体における定電圧C=F(U)への電気容量の依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence of an electric capacitance on the constant voltage C = f(U) in pure bentonite, composites and semiconductors

著者 (2件)： Khalilova Sh. (Institute of Physics of the Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan) ,  Hasanli Sh. (Institute of Physics of the Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 125  号： 9  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,異なる伝導率を有する純粋なベントナイト,複合材料および半導体における電気容量の量に及ぼすdc電圧の影響,ならびに外部磁場に対する電気伝導率の依存性について研究した。DC電圧に対する静電容量の依存性の理由は,それらにおけるポテンシャル障壁の存在と印加電圧に対する電気伝導率(σ)の依存性である可能性がある。σの大きな変動がある試料では,電気容量の大きな変化もあった。電気伝導率の変化の原理,電気容量の変化を観察し,マイクロエレクトロニクス,電気工学などにおいて成功裏に使用することができ,作製した容量パラメータは広い範囲の電圧と温度で変化することができる。Copyright 2019 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ベントナイト ,  マイクロエレクトロニクス ,  *静電容量 ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  *半導体 ,  *電圧 ,  外部磁場 ,  電気工学 ,  ポテンシャル障壁 ,  *複合材料
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： ベントナイト ,  複合材料 ,  定電圧 ,  電気容量 ,  依存性