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J-GLOBAL ID：201902283505275325   整理番号：19A0041369

磁気電気反強磁性体における調節可能な寄生磁化を用いた反強磁性スピンの操作【JST・京大機械翻訳】

Manipulation of Antiferromagnetic Spin Using Tunable Parasitic Magnetization in Magnetoelectric Antiferromagnet

著者 (14件)： Nozaki Tomohiro (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Nozaki Tomohiro (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Al-Mahdawi Muftah (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Shiokawa Yohei (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Pati Satya Prakash (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Ye Shujun (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Kotani Yoshinori (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Toyoki Kentaro (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Nakamura Tetsuya (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Suzuki Motohiro (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Yonemura Syougo (Advanced Technology Development Center, TDK Corporation, Chiba, 272-0026, Japan) ,  Shibata Tatsuo (Advanced Technology Development Center, TDK Corporation, Chiba, 272-0026, Japan) ,  Sahashi Masashi (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Sahashi Masashi (ImPACT Program, Japan Science and Technology Agency, Chiyoda, Tokyo, 102-0076, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 12  ページ： e1800366  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低い正味磁気モーメントをもつ反強磁性体とフェリ磁性体は,高集積化と高速(THzのオーダー)動作を可能にするため,将来のスピントロニクス素子にとって重要な要素である。Cr_2O_3は,電気的手段によってそのスピンの180°操作を達成することができるいくつかの反強磁性体の1つである。本研究では,調整可能な寄生性磁化を有する新しい機能性材料,Cr_2O_3を開発した。ドーピングによるCr_2O_3薄膜における寄生磁化の大きさと方向同調性の両方を実証した。非磁性元素のサイト選択的置換による副格子磁化減少と変位誘起非等価Crモーメントが寄生磁化の起源であると推論した。可変同調寄生磁化を利用することにより,反強磁性単一ドメインの操作を実証した。さらに,ドープしたCr_2O_3/Co交換結合系における反強磁性スピンの低電場スイッチング能力を確認した。このような調整可能な寄生磁化は,反強磁性スピンの操作と検出を容易にし,革新的なスピントロニクス素子応用における反強磁性体と研究機会のさらなる理解のためのプラットフォームを提供する。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピントロニクス ,  電場 ,  *磁気 ,  薄膜 ,  *磁化 ,  スイッチング ,  *反強磁性 ,  磁気モーメント ,  ドーピング ,  副格子 ,  高速度 ,  フェリ磁性体 ,  *反強磁性体
準シソーラス用語： 交換結合 ,  スピントロニクス素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 反強磁性スピントロニクス ,  交換バイアス ,  磁気電気 ,  寄生磁化

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 磁気 ,  反強磁性体 ,  調節 ,  寄生 ,  磁化 ,  反強磁性 ,  スピン