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J-GLOBAL ID：201902283531412823   整理番号：19A2367497

個々のH_2,N_2,およびO_2気泡核の確率的生成速度と幾何学のボルタンメトリーによる決定【JST・京大機械翻訳】

Voltammetric Determination of the Stochastic Formation Rate and Geometry of Individual H_2, N₂, and O₂ Bubble Nuclei

著者 (3件)： Edwards Martin A. (Department of Chemistry, University of Utah, Utah, United States) ,  White Henry S. (Department of Chemistry, University of Utah, Utah, United States) ,  Ren Hang (Department of Chemistry and Biochemistry, Miami University, Ohio, United States)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 13  号： 6  ページ： 6330-6340  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,単一ナノバブルの電気化学的核形成速度と核を特性化するための一般的なボルタンメトリー法を報告する。気泡核形成はガス発生反応のボルタンメトリーにおける電流の鋭いピークによって示される。核形成イベントの確率的性質に基づく予想とは対照的に,安定核を意味するピーク電流は数百サイクル(~3%偏差)にわたって非常に再現性がある。古典的核形成理論を適用することにより,この考えられる決定論的挙動は理解できるだけでなく,気泡核の核生成速度とサイズを定量化するためにも用いることができる。単一臨界核の特性(接触角,曲率半径,活性化エネルギーおよびArrhenius前指数因子)を,ナノ電極における数百のボルタンメトリーサイクルからのピーク電流(平均,標準偏差)の狭い分布から容易に測定できる統計モデルを開発した。ガス発生反応(H+還元からのH_2,N_2H_4酸化からのN_2,H_2O_2酸化からのO_2)から形成された単一ナノバブルを分析し,それらの臨界核が各核における約50,~40,および~90ガス分子に対応して,それぞれ~150,~160,および~154°の接触角を持つことを見出した。H_2,N_2,およびO_2気泡の不均一核形成のエネルギー障壁は,それぞれ,同じ過飽和下での均一核形成に必要なものの2,0.4,および0.7%である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  電流 ,  酸化 ,  *気泡 ,  *ボルタンメトリー ,  接触角 ,  臨界 ,  再現性 ,  キャラクタリゼーション ,  還元 ,  活性化エネルギー ,  過飽和
準シソーラス用語： ナノ電極 ,  ピーク電流 ,  ナノバブル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 単一エンティティ電気化学 ,  核形成 ,  生存分析 ,  ナノ電極 ,  活性化エネルギー ,  接触角

分類 (5件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  腫ようの薬物療法  (GE03032C) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 気泡 ,  核 ,  確率 ,  生成速度 ,  幾何学 ,  ボルタンメトリー