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J-GLOBAL ID:201902283588203032   整理番号:19A0777620

横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ

A 24.3Me- Full Well Capacity and High Near Infrared Sensitivity CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Trench Capacitor
著者 (10件):
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巻: 43  号: 11(IST2019 12-22)  ページ: 27-32  発行年: 2019年03月15日 
JST資料番号: S0209A  ISSN: 1342-6893  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し,1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領域における高量子効率化の両立を図ったCMOSイメージセンサ(CIS)を設計・試作し,低照度から高照度にかけての光に対する線形応答,2430万個の飽和電子数,71.3dBの信号対雑音比,200-1100nmの広光波長帯域における高量子効率の性能を達成した.本CISを用いた応用例の1つとして,非侵襲血糖値測定に向けた近赤外吸光イメージングを行い,1050nmの光波長を用いて5mg/dlグルコース溶液の拡散・対流をリアルタイムかつ鮮明に捉えることができた。(著者抄録)
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分類 (2件):
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図形・画像処理一般  ,  半導体集積回路 
物質索引 (1件):
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