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J-GLOBAL ID:201902283625291063   整理番号:19A1467486

エネルギー最小化により解決されたバルク状バンドオフセットの謎:ペロブスカイト酸化物ヘテロ接合からの教訓【JST・京大機械翻訳】

Bulklike band-offset mystery solved through energy minimization: Lessons from perovskite oxide heterojunctions
著者 (2件):
資料名:
巻: 99  号: 11  ページ: 115302  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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等原子価半導体ヘテロ接合におけるバンドオフセット(BO)の形成は,界面配向と原子構造へのBOの非敏感性とBOsにおける過渡性のために,ブランクド状になった。BOの同調性と非遷移性がヘテロ原子価界面に対して頻繁に見出されるにもかかわらず,組込まれたバルク状特性を持つ経験的理論は実験的BOsの説明を支配している。現在,格子整合ペロブスカイト酸化物間の多数の界面における電荷密度の分布とBOの形成を,密度汎関数理論を用いて詳細に研究した。非緩和界面に対する原子構造に対する(明らかに調整可能な)BOの鋭い依存性が格子緩和により本質的に洗い出されるので,イオン遮蔽はBOの形成を支配することが分かった。ペロブスカイト酸化物とそれらの界面における双極子層の慎重な埋め込みによる数値実験は,イオンスクリーニングの有効性を確証する。緩和された収束(バルク状)BOsは中性多面体理論(NPT)の予測と良く一致することが分かった。NPTの成功は,現在,イオン界面に対して,以前に共有結合閃亜鉛鉱界面に対して,中性対称セルへの分配と界面電荷分布に関するエネルギー最小化要求との間の可能な関係を明らかにしていない。界面特異性,すなわちバルク状挙動に対するBOの独立性は,最小化静電エネルギーによる電荷分布のこのような性質から直接的に幹になることを示した。エネルギー最小化が一般的に電荷分布の形成を支配するので,NPTは広範囲の材料界面のバンドオフセットを記述することが期待される。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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表面の電子構造  ,  半導体結晶の電子構造 

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