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J-GLOBAL ID:201902283928731764   整理番号:19A2640002

ブロック共重合体薄膜における逐次浸透合成による酸化スズナノ構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Tin oxide nanostructure fabrication via sequential infiltration synthesis in block copolymer thin films
著者 (5件):
資料名:
巻: 557  ページ: 537-545  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化スズ(SnO_2)ナノ構造は,センシング,触媒,およびオプトエレクトロニクス応用に魅力的である。ここでは,ブロック共重合体(BCP)膜テンプレートにおける逐次浸透合成(SIS)によるSnO_xナノ構造の作製を調べた。SISによる重合体とBCP膜内の金属と金属酸化物の成長はトリメチルアルミニウムとジエチル亜鉛のような小前駆体を用いて実証されているが,SISはより大きな前駆体を用いて行うことができ,テトラキス(ジメチルアミノ)スズ(TDMASn)と過酸化水素でSnO_x SISを実証できると仮定した。SIS反応とBCP化学の調整により,高度に秩序化したポリスチレン-ブロック-ポリ(2-ビニルピリジン(P2VP)鋳型多孔質SnO_x-AlO_xとSnO_xナノ構造が得られた。in situ微量天秤,高分解能電子顕微鏡,元素分析および赤外分光法を用いた詳細な研究は,SnO_xがP2VP単独重合体およびBCP膜内で直接成長できることを示した。成長と同時に,SnO_x SISプロセスも高分子エッチングに寄与した。単一のAlO_x SISサイクルの前処理によるSnO_x SISの実行は,SnO_x成長を増加させ,BCPテンプレートをエッチングから保護する。これは,高分子内の成長過程で利用される付加的なテトラキス系有機金属前駆体のための経路を開くSnO_x SISの最初の報告である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  コロイド化学一般 

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