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J-GLOBAL ID：201902283965361595   整理番号：19A2523057

同位体標識と成長中断により研究した個々の単層カーボンナノチューブの再成長と触媒エッチング【JST・京大機械翻訳】

Regrowth and catalytic etching of individual single-walled carbon nanotubes studied by isotope labeling and growth interruption

著者 (9件)： Koyano Bunsho (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Inoue Taiki (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Yamamoto Shun (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Otsuka Keigo (Quantum Optoelectronics Research Team, RIKEN Center for Advanced Photonics, Wako, 351-0198, Japan) ,  Otsuka Keigo (Nanoscale Quantum Photonics Laboratory, RIKEN Cluster for Pioneering Research, Wako, 351-0198, Japan) ,  Xiang Rong (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Chiashi Shohei (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Maruyama Shigeo (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Maruyama Shigeo (Energy NanoEngineering Laboratory, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8564, Japan)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 155  ページ： 635-642  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)の効率的な成長を実現するために,触媒活性と成長速度の背後にある成長機構を単一ナノチューブレベルで解明する必要がある。本研究では,化学蒸着プロセスにおける添加剤分子の影響を調べるために,炭素源の供給において,Ar,Ar/H_2,またはAr/H_2/H_2Oのみを導入した成長中断を伴うSWCNTを合成した。この中断成長を,個々のSWCNT成長の時間発展を示すために同位体標識法と組み合わせて行った。成長中断中のArの導入はSWCNT成長を停止させる傾向があったが,Ar/H_2の導入はエタノールが再導入されるとSWCNTの再成長をもたらした。Ar/H_2/H_2Oで中断すると,SWCNTは触媒的にエッチングされ,一方,成長の逆方向にそれ自身を滑らせ,その後,再成長した。Raman分析は,SWCNTsのキラリティがエッチングと再成長の後でも保存されることを明らかにした。SWCNTの成長速度はAr/H_2の場合には中断の前後で変化しなかったが,Ar/H_2/H_2Oの場合には約1.7倍に増加した。これらの結果は,触媒活性を維持し,成長速度を高めるための有効な手段を提供する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時間発展 ,  *触媒 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  触媒活性 ,  アルゴン ,  *エッチング ,  成長速度 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： キラリティ ,  炭素源 ,  成長メカニズム ,  *再成長 ,  *同位体標識 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (8件)： 同位体標識 ,  成長 ,  中断 ,  研究 ,  単層カーボンナノチューブ ,  再成長 ,  触媒 ,  エッチング