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J-GLOBAL ID：201902284090687096   整理番号：19A1887533

WSe_2単分子層における欠陥活性化光ルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Defect Activated Photoluminescence in WSe₂ Monolayer

著者 (9件)： Wu Zhangting (School of Physics, Southeast University) ,  Wu Zhangting (State Key Laboratory for Modification of Chemical Fibers and Polymer Materials, Donghua University, People’s Republic of China) ,  Zhao Weiwei (Jiangsu Key Laboratory for Design and Fabrication of Micro-Nano Biomedical Instruments, School of Mechanical Engineering, Southeast University) ,  Jiang Jie (School of Physics, Southeast University) ,  Zheng Ting (School of Physics, Southeast University) ,  You Yumeng (Ordered Matter Science Research Center, Southeast University) ,  Lu Junpeng (School of Physics, Southeast University) ,  Ni Zhenhua (School of Physics, Southeast University) ,  Ni Zhenhua (State Key Laboratory for Modification of Chemical Fibers and Polymer Materials, Donghua University, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 22  ページ： 12294-12299  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニド(TMD)の欠陥は電気的及び光学的性質の調整に重要な役割を果たす。ここでは,Ar+プラズマを用いて,WSe_2単分子層における活性欠陥を制御的に発生させ,それらの光学的性質を調整した。Ar+プラズマで処理したWSe_2単分子層の低温PLスペクトルにおいて,二つの欠陥活性化PL発光ピークが出現した。これらの発光は異なるタイプの構造欠陥に束縛された励起子の再結合に起因する。浅い準位発光はカルコゲン空格子点における励起子の再結合から生じ,一方,深い準位発光は遷移金属空孔,空格子点のクラスタ,回転欠陥またはアンチサイト欠陥のような他のタイプの欠陥から生じる可能性がある。これらの結果は,Ar+プラズマ処理がTMD単分子層に望ましい欠陥を誘起する有効な方法であり,PL分光法はこれらの欠陥を調べるための効率的な方法であることを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  遷移金属 ,  低温 ,  深い準位 ,  励起子 ,  クラスタ ,  *単分子層 ,  酸素族元素 ,  空格子点 ,  再結合 ,  プラズマ ,  浅い準位 ,  発光
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  欠陥 ,  活性化 ,  光ルミネセンス