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J-GLOBAL ID：201902284092559613   整理番号：19A2876457

GaN HEMTのためのPCBレイアウトに基づく短絡保護方式【JST・京大機械翻訳】

PCB Layout Based Short-Circuit Protection Scheme for GaN HEMTs

著者 (3件)： Alemdar Ozturk Sahin (Aselsan Inc.,Ankara,Turkey) ,  Karakaya Furkan (Middle East Technical University,Ankara,Turkey) ,  Keysan Ozan (Middle East Technical University,Ankara,Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ECCE  ページ： 2212-2218  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム窒化物強化モード高Electron移動度トランジスタ(GaN HEMT)は,電力変換器応用における電力密度の増加をもたらす効率,パッケージサイズおよびスイッチング速度に関して,他のパワートランジスタより優れている。しかし,GaN HEMTは従来のデバイスに比べてはるかに短い短絡抵抗時間を持ち,数百ナノ秒に制限される。従って,信頼性のある高速保護ソリューションは,致命的な過電流故障からGaN HEMTを保護するために必要である。本論文では,プリント回路基板(PCB)レイアウト寄生を用いることによる故障電流センシングに基づく新しい短絡(SC)保護方式を提案した。提案した方式は,非常に強い高いスルーレートSC故障を検出するために,PCBトレースの寄生インダクタンスに電圧降下を使用する。さらに,PCBトレースの寄生抵抗に対する電圧降下を用いて,比較的遅い過電流(OC)故障を検出した。いったん故障が検出されると,ソフトターンオフ機構は,過電圧破壊リスクを除去するために,提案した回路によって,徐々にデバイスをターンオフするために開始される。提案した回路をSPICEシミュレーションとハードウェア実装の両方により検証した。実験結果は,SCとOCの両方の故障を検出し,GaN HEMTを保護できることを示した。回路の全動作期間はSC故障中に370nsである。SC故障は30ns以内で検出され,ソフトターンオフ機構は80ns以内で開始され,290ns以内のGaN HEMTを流れるSC電流を停止させる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノ秒 ,  シミュレーション ,  プリント基板 ,  過電流 ,  電力トランジスタ ,  電圧降下 ,  トランジスタ ,  故障電流 ,  窒化ガリウム ,  信頼性 ,  移動度 ,  電流 ,  電力変換器 ,  過電圧 ,  *故障

分類 (3件)： 送電  (NB05030G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  電力系統一般  (NB02000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  HEMT ,  PCB ,  レイアウト ,  短絡