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J-GLOBAL ID：201902284135615176   整理番号：19A1809846

バルクInAsにおける固有欠陥とシリコンドーパントの拡散のab initio研究【JST・京大機械翻訳】

Ab Initio Studies of the Diffusion of Intrinsic Defects and Silicon Dopants in Bulk InAs

著者 (6件)： Reveil Mardochee (Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University) ,  Huang Hsien-Lien (Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University) ,  Chen Huang-Ta (Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University) ,  Liu Jason (Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University) ,  Thompson Michael O. (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University) ,  Clancy Paulette (Robert F. Smith School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 33  号： 42  ページ： 11484-11489  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs中のInとAsに対する支配的な拡散経路と,InAs中のドーパントSi原子を,欠陥系のエネルギーの正確な密度汎関数理論計算と併せて,Nudged Elastic Band計算を用いて説明した。著者らの結果は,Asが空孔支援および格子間媒介機構の両方に対してInおよびSiと比較して非常に速い拡散体であることを示している。一方,より大きなインジウム原子は非常に遅い拡散体であり,In副格子上に強く優先する。シリコンはIn副格子における置換サイトに留まる傾向があり,SiがnドープInAsを作製するために使用されるという事実と一致した。InAs格子の中でSiが拡散する機構は,これらの経路が2eV以上のエネルギー障壁に遭遇するので,空格子点支援ジャンプにより進行しにくいことを見出した。対照的に,シリコンは,それらが0.23eVの小さいエネルギー障壁で起こるので,容易に格子間ジャンプを作ることができる。これは,格子間拡散機構が,他の類似のIII-V化合物,すなわち,Si拡散が空格子点支援機構を介して起こるという,他の類似のIII-V化合物に対して作られた共通推定に挑戦する,InAsにおけるSi拡散に対して強く優先されることを示唆した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *インジウム ,  副格子 ,  *ドーパント ,  ドーピング ,  *ヒ素 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  密度汎関数計算 ,  拡散経路 ,  *固有欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  InAs ,  固有欠陥 ,  シリコン ,  ドーパント ,  拡散 ,  研究