文献

J-GLOBAL ID：201902284208669417   整理番号：19A1414628

ZnドープGaAs/GaAsP歪補償超格子における長いスピン緩和時間【JST・京大機械翻訳】

Prolonged spin relaxation time in Zn-doped GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice

著者 (7件)： Ohki Shunsuke (Department of Applied Physics, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Jin Xiuguang (Accelerator Laboratory, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Ishikawa Tomoki (Department of Applied Physics, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Kamezaki Takuya (Department of Applied Physics, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Yamada Kizuku (Department of Applied Physics, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Muto Shunichi (Department of Applied Physics, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-8628, Japan) ,  Tackeuchi Atsushi (Department of Applied Physics, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 2  ページ： 022405-022405-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/GaAsP歪補償超格子(SL)は非常に有望なスピン偏極電子源である。より高い量子効率を実現するためには,スピン緩和機構を考慮する必要がある。時間分解スピン依存ポンプとプローブ反射測定により,ZnドープGaAs/GaAsP歪補償SLにおける電子スピン緩和時間を調べた。104psの長いスピン緩和時間が室温(RT)で観測され,これは通常のアンドープGaAs多重量子井戸のそれより約3倍長い。励起パワーが30から110mWに増加すると,RTにおけるスピン緩和時間の変化は小さかった。この関係は,電子ビームの強度がスピン緩和時間に影響することなく増加することを意味する。これらの結果は,ZnドープGaAs/GaAsP歪補償SLがスピン偏極電子源としての利用に大きな利点を持つことを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子効率 ,  *ドーピング ,  電子ビーム ,  励起 ,  プローブ ,  電子スピン緩和 ,  *亜鉛 ,  *超格子 ,  多重量子井戸 ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *スピン緩和 ,  *スピン緩和時間 ,  *歪補償 ,  *ヒ化リン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Zn ,  ドープ ,  GaAs ,  GaAsP ,  歪補償 ,  超格子 ,  スピン緩和時間