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J-GLOBAL ID：201902284281171530   整理番号：19A0511994

拡散法で作製したバルクMgB2のグラフェンドーピングによる超伝導特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Superconducting Properties by Graphene Doping of Bulk MgB2 Prepared by the Diffusion Method

著者 (4件)： Li Lei (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education of China), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu, China) ,  Zhang Hong (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education of China), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu, China) ,  Zhao Yong (Key Laboratory of Maglev Train and Maglev Technology of Ministry of Education, Superconductivity and New Energy R&D Center and the School of Physics and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu, China) ,  Zhang Yong (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education of China), Superconductivity and New Energy R&D Center, Southwest Jiaotong University, Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 5  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 拡散法により調製したMgB_2バルクの超伝導特性に及ぼすグラフェンドーピングの影響の研究を0~30wt%のドーピングレベルで行った。相自体に及ぼすC置換の影響と共に,大量のC含有非超伝導相の増加は超伝導特性の変化をもたらす。転移温度T_cは,グラフェン添加の増加と共に単調に減少するが,臨界電流密度J_cは,超伝導相のより大きな体積分率のために,小さなグラフェン添加に対して増加する。より大きな添加は,非超伝導相のより大きな量をもたらし,その結果,これらの試料はより低いJ_cを有した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 転移温度 ,  臨界電流密度 ,  体積率 ,  *グラフェン ,  *ドーピング ,  *超伝導
準シソーラス用語： 超伝導相 ,  ホウ化マグネシウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 信号理論  (ND02020G) ,  音響信号処理  (BB03050C) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 拡散 ,  作製 ,  バルク ,  MgB2 ,  超伝導特性