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J-GLOBAL ID：201902284650034640   整理番号：19A1306443

Tandem用のn-i-pペロブスカイト太陽電池における寄生吸収を低減し安定性を改善するための酸化バナジウムの原子層堆積【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer deposition of vanadium oxide to reduce parasitic absorption and improve stability in n-i-p perovskite solar cells for tandems

著者 (7件)： Raiford James A. (Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA. [e-mail]) ,  Belisle Rebecca A. ,  Bush Kevin A. ,  Prasanna Rohit ,  Palmstrom Axel F. ,  McGehee Michael D. ,  Bent Stacey F.
資料名： Sustainable Energy & Fuels  (Sustainable Energy & Fuels)
巻： 3  号： 6  ページ： 1517-1525  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3487A  ISSN： 2398-4902  CODEN： SEFUA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2端子タンデム素子用の半透明,n-i-pペロブスカイト太陽電池に関連する2つの重要な問題は,広く使われているスピロ-OMeTADとMoO_x正孔輸送とバッファ層に関連する寄生吸収と長期不安定性である。本研究では,原子層堆積により蒸着した空気安定酸化バナジウム(VO_x)の9nmと結合した30nmのスピロ-TTBの非ドープ層からなる代替正孔接触二層を示した。この二分子層におけるUVと可視光の低い吸収は,150nmのドープされたスピロ-OMeTADを有する制御装置で発生した16.6mAcm-2と比較して,18.9mAcm-2の光電流をもつ半透明ペロブスカイト電池の作製をもたらした。ALD VO_xバッファ層はMoO_xに対する安定な代替として有望であることを示した。トップ接触としてALD VO_xとITOを有する非カプセル化Cs_0.17FA_0.83Pb(Br_0.17I_0.83)_3デバイスは,N_2環境において85°Cで1000時間後にその効率を維持した。最後に,ヘテロ接合シリコンを有するモノリシックタンデム電池におけるその光学性能を予測するために,最適化されたペロブスカイト積層の転送行列モデリングを用いた。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  可視光 ,  正孔 ,  *酸化バナジウム ,  ケイ素 ,  バッファ層 ,  *電池 ,  不安定性 ,  最適化 ,  ヘテロ接合 ,  直列接続 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 二層 ,  半透明 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  安定性 ,  酸化バナジウム ,  原子層堆積