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J-GLOBAL ID：201902284809100133   整理番号：19A2403956

グラフェンホットエレクトロンボロメータに及ぼす欠陥誘起冷却の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of defect-induced cooling on graphene hot-electron bolometers

著者 (12件)： El Fatimy Abdel (Department of Physics, Georgetown University, Washington, DC, 20057, USA) ,  Han Peize (Department of Physics, Georgetown University, Washington, DC, 20057, USA) ,  Quirk Nicholas (Department of Physics, Georgetown University, Washington, DC, 20057, USA) ,  St. Marie Luke (Department of Physics, Georgetown University, Washington, DC, 20057, USA) ,  Dejarld Matthew T. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375, USA) ,  Myers-Ward Rachael L. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375, USA) ,  Daniels Kevin (Institute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland, College Park, MD, 20742, USA) ,  Pavunny Shojan (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375, USA) ,  Gaskill D. Kurt (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375, USA) ,  Aytac Yigit (Institute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland, College Park, MD, 20742, USA) ,  Murphy Thomas E. (Institute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland, College Park, MD, 20742, USA) ,  Barbara Paola (Department of Physics, Georgetown University, Washington, DC, 20057, USA)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 154  ページ： 497-502  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高フォノン温度では,グラフェンにおける欠陥媒介電子-フォノン衝突(超衝突)は,通常の運動量保存電子-フォノン衝突よりも,より大きなエネルギー移動とホットエレクトロンのより速い冷却を可能にする。不規則性は,フォノン波長が平均自由行程を超える非常に低いフォノン温度での電子とフォノン間の熱流にも影響する。両方の場合において,冷却速度は電子温度に対して特徴的な立方べき乗則依存性を示すと予測され,元のグラフェンに対して予測されたT4依存性とは著しく異なる。光電子デバイスの性能に及ぼす欠陥誘起冷却の影響は依然として不明である。本論文では,欠陥密度を作製プロセスで制御できるエピタキシャルグラフェン量子ドットに基づくホット電子ボロメータの冷却機構を研究した。欠陥密度の高い素子は立方べき乗則を示した。欠陥誘起冷却は温度上昇に伴う熱伝導率のより遅い増加をもたらし,それにより,欠陥密度の低い素子に比べて素子応答性を大きく増強し,通常の衝突冷却で動作する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フォノン ,  応答特性 ,  *グラフェン ,  電子温度 ,  エネルギー移動 ,  欠陥密度 ,  エピタクシー ,  熱伝導率 ,  *ボロメータ ,  波長 ,  *ホットエレクトロン ,  平均自由行程 ,  昇温 ,  熱流
準シソーラス用語： べき乗則 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 欠陥 ,  誘起