文献

J-GLOBAL ID：201902284838960730   整理番号：19A1416168

原子層堆積により成長させたZnOの準金属挙動:水素の役割【JST・京大機械翻訳】

Quasi-metallic behavior of ZnO grown by atomic layer deposition: The role of hydrogen

著者 (9件)： Beh Holger (IMTEK, Faculty of Engineering, Albert Ludwigs University Freiburg, Georges Kohler Allee 103, 79110 Freiburg, Germany) ,  Hiller Daniel (IMTEK, Faculty of Engineering, Albert Ludwigs University Freiburg, Georges Kohler Allee 103, 79110 Freiburg, Germany) ,  Bruns Michael (Karlsruhe Institute of Technology, Institute for Applied Materials and Karlsruhe Nano Micro Facility, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Welle Alexander (Karlsruhe Institute of Technology, Institute of Functional Interfaces and Karlsruhe Nano Micro Facility, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Becker Hans-Werner (RUBION, Zentrale Einrichtung fuer Ionenstrahlen und Radionuklide, Ruhr-Universitaet Bochum, Universitaetsstr. 150, 44780 Bochum, Germany) ,  Berghoff Birger (Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 18, 52074 Aachen, Germany) ,  Suergers Christoph (Karlsruhe Institute of Technology, Physikalisches Institut, Wolfgang Gaede Str. 1, 76131 Karlsruhe, Germany) ,  Merz Rolf (Institut fuer Oberflaechen- und Schichtanalytik GmbH, Trippstadter Str. 120, 67663 Kaiserslautern, Germany) ,  Zacharias Margit (IMTEK, Faculty of Engineering, Albert Ludwigs University Freiburg, Georges Kohler Allee 103, 79110 Freiburg, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 2  ページ： 025306-025306-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)により作製した酸化亜鉛(ZnO)は,単結晶バルク材料またはスパッタZnO薄膜と対照的に本質的に良好な導電性(~5mΩcm)である。固有のn型伝導率に対する候補の一般的な3つのグループがある。すなわち,固有点欠陥,水素以外の元素不純物,および水素自身を取り込んだ。本研究では,伝導率に及ぼすそれらの影響に関する異なる候補を評価した。5×10~19cm-3までの自由電子密度の存在下では,水素以外の不純物はppm範囲の超低濃度のために除外される。堆積温度による伝導率の発展はRutherford後方散乱分光法により測定されたようにZn/O比では再現されないので,固有点欠陥も考えられない。したがって,最も有望な候補は,約1at.%の濃度の水素,すなわち自由電子密度を説明するのに十分以上である。さらに,キャリア濃度の堆積温度依存性と水素濃度の間の相関を見出した。伝導性水素関連状態の形成エネルギーは~40meVと決定された。液体ヘリウム温度までのHall測定は,電子密度が全温度範囲にわたって一定であることを明らかにした。これは,≧150°Cの堆積温度に対するALD-ZnOの準金属挙動を構成する。水素誘起ドナー状態の非常に高い濃度は,ドナーバンドがZnO伝導バンドとエネルギー的に結合するように,イオン化エネルギーの消失を引き起こすことを提案した。このモデルは紫外光電子分光測定により支持される。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  温度依存性 ,  伝導バンド ,  不純物 ,  単結晶 ,  ドナー ,  イオン化ポテンシャル ,  *亜鉛 ,  導電性 ,  キャリア密度 ,  電子密度 ,  *水素 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 自由電子 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  ZnO ,  挙動 ,  水素 ,  役割