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J-GLOBAL ID:201902285158846570   整理番号:19A2048309

ドープ単分子層MOS_2におけるドーパント導入バレー分極,スピン,およびバレーHall伝導率【JST・京大機械翻訳】

Dopant Introduced Valley Polarization, Spin, and Valley Hall Conductivity in Doped Monolayer MoS2
著者 (2件):
資料名:
巻: 2018  ページ: Null  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7023A  ISSN: 1687-8108  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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低エネルギー有効ハミルトニアンを用いてドーパントを導入した磁気交換場を考慮したドープ単分子層[数式:原文を参照]における谷分極,スピンおよび谷Hall伝導率を研究した。磁気交換場を導入したドーパントは時間反転対称性を破り,エネルギー的に縮退した谷を非縮退に分離することを見出した。さらに,計算結果から,低温では絶縁領域において,単一谷における異常Hall伝導率と全谷Hall伝導率は量子化されるが,全スピンHall伝導率は同じように消滅することを明らかにした。また,交換磁場と共にスピン-軌道結合の強度が谷分極を決定することを見出した。これはドープした単分子層[数式:原文を参照]系において谷とスピンHall伝導率を制御する。スピンHallと谷Hall伝導率は外部磁場がない場合には消失する。したがって,著者らの結果は低パワーエレクトロニクスデバイスを生成するために重要である。Copyright 2018 Sintayehu Mekonnen and Pooran Singh. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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金属結晶の磁性  ,  磁性理論 
引用文献 (21件):

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