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J-GLOBAL ID:201902285375296085   整理番号:19A2365934

電子励起状態に対する半射影σ自己無撞着場【JST・京大機械翻訳】

Half-Projected σ Self-Consistent Field For Electronic Excited States
著者 (2件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 2954-2965  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2328A  ISSN: 1549-9618  CODEN: JCTCCE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電子励起状態の完全に自己無撞着な平均場解は,基底状態解(例えば,Hartree-Fock)と比較して,はるかにアクセス可能でなかった。これに対する主な理由は,ほとんどの励起状態がエネルギー鞍点であり,したがって,Δ-SCFのようなエネルギーベースの最適化法がしばしば基底状態に崩壊することである。最近,著者らの研究グループは,エネルギーベースの方法の「変分崩壊」問題をうまく解決する新しい方法,σ-SCF[[引用文献情報:原文を参照]]を開発した。成功にもかかわらず,σ-SCF溶液はしばしば単一決定因子の性質により開殻状態に対してスピン汚染される。消滅する解や不連続な一次エネルギー導関数のような非物理的挙動も,スピンまたは空間対称性の自発的破れと共に観測される。本研究では,半射影と呼ばれる近似スピン射影スキームにより,σ-SCF解の破れたスピン対称性を部分的に復元することにより,これらの問題に取り組んだ。投影された波動関数の軌道を,変分後投影(VAP)法で最適化した。半投影(HP)σ-SCFを項とする結果としての理論は,元のσ-SCF法の一重項および三重項励起の記述に実質的な改善をもたらす。小分子に関する数値シミュレーションは,HPσ-SCFが,滑らかなポテンシャルエネルギー面を有する広範囲の形状に存在する高品質励起状態解を提供することを示唆した。また,HPσ-SCFにおける局所励起がサイズ集約的であることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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