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J-GLOBAL ID：201902285465436388   整理番号：19A1416148

拡張波長赤外光検出器の暗電流と光応答特性【JST・京大機械翻訳】

Dark current and photoresponse characteristics of extended wavelength infrared photodetectors

著者 (5件)： Chauhan D. (Center for Nano-Optics (CeNO), Department of Physics and Astronomy, Georgia State University, Atlanta, Georgia 30303, USA) ,  Perera A. G. U. (Center for Nano-Optics (CeNO), Department of Physics and Astronomy, Georgia State University, Atlanta, Georgia 30303, USA) ,  Li L. H. (School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, Leeds LS2 9JT, United Kingdom) ,  Chen L. (School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, Leeds LS2 9JT, United Kingdom) ,  Linfield E. H. (School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, Leeds LS2 9JT, United Kingdom)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 2  ページ： 024501-024501-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体光検出器の暗電流とスペクトル光応答しきい値は,通常,材料の最小エネルギーギャップ(Δ)またはヘテロ構造の界面エネルギーギャップにより決定される。本論文では,非対称p-GaAs/Al_xGa_1-xAsヘテロ構造ベース赤外検出器の性能を検討した。これはΔによって設定された限界を超える拡張波長閾値を示す。測定された暗電流は,Δ~0.40eV(~3.1μm)の設計値を用いて,3Dキャリアドリフトモデルから得られたフィットと良く一致することが分かった。対照的に,スペクトル光応答は,5.3Kで,正,ゼロ,負のバイアスで,それぞれ~68μm,~45μm,~60μmの拡張波長閾値を示した。参照(対称)光検出器に対して,暗電流はΔ~0.30eVの設計値に適合し,測定した暗電流とスペクトル応答の両方に対して優れた一致が得られた。これは非対称赤外光検出器設計を用いる利点があり,検出波長への拡張が暗電流特性にほとんど妥協せずに得られる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  対称性 ,  バイアス ,  *光検出器 ,  赤外検出器 ,  *応答特性 ,  半導体 ,  表面エネルギー ,  *波長 ,  非対称性 ,  三次元 ,  *暗電流 ,  *赤外線
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 拡張 ,  波長 ,  赤外光 ,  検出器 ,  暗電流 ,  応答特性