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J-GLOBAL ID：201902285482275261   整理番号：19A2365411

CrGeTe_3基板上に成長させた(Bi_xSb_1-x)_2Te_3薄膜における高近接性誘起異常Hall効果の記録【JST・京大機械翻訳】

Record High-Proximity-Induced Anomalous Hall Effect in (Bi_xSb_1-x)₂Te₃ Thin Film Grown on CrGeTe₃ Substrate

著者 (9件)： Yao Xiong (Center for Quantum Materials Synthesis and Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States) ,  Gao Bin (Department of Physics and Astronomy, Rice University, Texas, United States) ,  Han Myung-Geun (Condensed Matter Physics and Materials Science, Brookhaven National Laboratory, New York, United States) ,  Jain Deepti (Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States) ,  Moon Jisoo (Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States) ,  Kim Jae Wook (Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States) ,  Zhu Yimei (Condensed Matter Physics and Materials Science, Brookhaven National Laboratory, New York, United States) ,  Cheong Sang-Wook (Center for Quantum Materials Synthesis and Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States) ,  Oh Seongshik (Center for Quantum Materials Synthesis and Department of Physics and Astronomy, Rutgers, The State University of New Jersey, New Jersey, United States)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 19  号： 7  ページ： 4567-4573  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子異常Hall効果(QAHE)は,ドーピング過程に固有の制限により,磁気的にドープしたトポロジカル絶縁体(TI)の極低温でのみ実現できる。QAHEの量子化温度を上げるために,磁気絶縁体/TIヘテロ構造における磁気近接効果を広範囲に調べた。しかし,観測された異常Hall抵抗は,おそらく構造的および化学的不整合によって引き起こされる界面無秩序のために,いくつかのオームよりも多くはなかった。ここでは,構造的および化学的に良く整合した強磁性絶縁性CrGeTe_3(CGT)基板上に(Bi_xSb_1-x)_2Te_3(BST)薄膜を成長させることにより,近接誘起異常Hall抵抗を一桁以上増強できることを示した。これは,磁気絶縁体/TI近接システムに対する構造的および化学的整合の重要性に光を当てる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  不整合 ,  極低温 ,  近接効果 ,  ドーピング ,  界面 ,  トポロジカル絶縁体 ,  磁気 ,  *異常Hall効果 ,  強磁性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 無秩序性 ,  Hall抵抗 ,  ヘテロ構造 ,  *近接性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 磁気近接効果 ,  異常Hall効果 ,  CrGeTe_3 ,  (Bi_xSb_1-x)_2Te_3 ,  磁気トポロジカル絶縁体

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長 ,  薄膜 ,  近接性 ,  誘起 ,  異常Hall効果