乾燥摩擦との類似性によるメムリスティブ応用のためのisotrop的に保磁力のある磁気層の実現【JST・京大機械翻訳】

Mansueto M.; Chavent A.; Auffret S.; Joumard I.; Nath J.; Miron I.M.; Ebels U.; Sousa R.C.; Buda-Prejbeanu L.D.; Prejbeanu I.L.; Dieny B.

文献

J-GLOBAL ID：201902285578688581 整理番号：19A2474891

乾燥摩擦との類似性によるメムリスティブ応用のためのisotrop的に保磁力のある磁気層の実現【JST・京大機械翻訳】

Realizing an Isotropically Coercive Magnetic Layer for Memristive Applications by Analogy to Dry Friction

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資料名：
巻： 12 号： 4 ページ： 044029 発行年： 2019年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

面内磁化トンネル接合における二つの磁気電極の磁化の間の相対角度に対するトンネル伝導度の依存性に基づいて,スピントロニック素子を実現する可能性を調べた。このために,磁化が平行と反平行磁気配置の間のいくつかの面内方向に沿って安定化できる自由層を設計する必要がある。反強磁性体が十分薄い領域で反強磁性-強磁性交換相互作用を利用することにより,これが達成できることを実験的に示した。競合する強磁性相互作用と反強磁性相互作用による界面での交換相互作用のフラストレーションは,等方性保磁力を生じる等方性散逸機構の起源である。モデリングの観点から,この等方性散逸はLandau-Lifshitz-Gil方程式における乾燥摩擦項により記述できることを示した。回転面内磁場を受ける面内磁化層の磁化動力学に及ぼすこの乾燥摩擦項の影響を解析的および数値的に調べた。付加的な垂直偏光子からのスピン移動トルクを用いて面内磁化磁気トンネル接合における自由層磁化配向を制御する可能性についてもマクロスピンシミュレーションにより調べた。基準層磁化に対して横方向の面内静磁場の存在下でスタックを通して電流パルスを注入することによってメムリスタ関数を達成できることを示した。その目的は0°と180°の間の磁化回転を制限することである。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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磁区・磁化過程一般

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