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J-GLOBAL ID：201902285745710827   整理番号：19A0254203

有機太陽電池の開回路電圧に及ぼすドナー/アクセプタ界面でのバンド曲げとエネルギー準位アラインメントの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Band Bending and Energy Level Alignment at the Donor/Acceptor Interface on Open-Circuit Voltage in Organic Solar Cells

著者 (6件)： Izawa Seiichiro (Institute for Molecular Science, Aichi, Japan) ,  Izawa Seiichiro (The Graduate University for Advanced Studies (SOKENDAI), Aichi, Japan) ,  Shintaku Naoto (Institute for Molecular Science, Aichi, Japan) ,  Shintaku Naoto (The Graduate University for Advanced Studies (SOKENDAI), Aichi, Japan) ,  Hiramoto Masahiro (Institute for Molecular Science, Aichi, Japan) ,  Hiramoto Masahiro (The Graduate University for Advanced Studies (SOKENDAI), Aichi, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 9  号： 11  ページ： 2914-2918  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 開回路電圧(V_OC)は,有機太陽電池の電力変換効率を支配する重要なパラメータである。フタロシアニン(H_2Pc)/フラーレン(C_60)平面ヘテロ接合(PHJ)OSCのV_OCに及ぼす有機半導体膜のバンド曲がりの効果を明らかにした。V_OCは,H_2Pc層厚によって著しく影響され,2nmで0.20Vから100nm厚で0.49Vまで変化した。大きなV_OC変化は,H_2Pc層のバンド曲がりに起因し,H_2Pc層の厚さの差は,H_2PcとC_60層の間のFermi準位(E_F)差のため,C_60層の真空準位シフトの程度を著しく変化させた。この結果は,V_OCに影響する新しい影響因子が,有機半導体膜におけるバンド曲がりに依存するE_Fの位置であることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  *界面 ,  ヘテロ接合 ,  *エネルギー準位 ,  層厚 ,  有機半導体 ,  *ドナー ,  *アクセプタ ,  *アラインメント ,  影響因子 ,  バンド曲がり ,  *有機太陽電池
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  *開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 有機太陽電池 ,  開回路電圧 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  界面 ,  バンド ,  曲げ ,  エネルギー準位 ,  アラインメント