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J-GLOBAL ID：201902285972697655   整理番号：19A1916628

窒素官能化数層グラフェンナノフレークの電子的および磁気的性質の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the Electronic and Magnetic Properties of Nitrogen-Functionalized Few-Layered Graphene Nanoflakes

著者 (9件)： Soin Navneet (Institute for Materials Research and Innovation (IMRI), School of Engineering, University of Bolton, United Kingdom) ,  Ray Sekhar C. (Department of Physics, College of Science, Engineering and Technology, University of South Africa, South Africa) ,  Sarma Sweety (Department of Physics, College of Science, Engineering and Technology, University of South Africa, South Africa) ,  Mazumder Debarati (Department of Physics, College of Science, Engineering and Technology, University of South Africa, South Africa) ,  Sharma Surbhi (School of Biosciences, University of Birmigham, United Kingdom) ,  Wang Yu-Fu (Department of Physics, Tamkang University, Taipei, Taiwan) ,  Pong Way-Faung (Department of Physics, Tamkang University, Taipei, Taiwan) ,  Roy Susanta Sinha (Department of Physics, School of Natural Sciences, Shiv Nadar University, Uttar Pradesh, India) ,  Strydom Andre M. (Highly Correlated Matter Research Group, Physics Department, University of Johannesburg, South Africa)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 26  ページ： 14073-14082  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高周波プラズマ増強化学蒸着(rf-PECVD)および電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマプロセスを用いて行った窒素官能化による数層グラフェン(FLG)ナノフレークの電子的および磁気的性質の改良について報告した。rf-PECVD N_2処理は,ECRプロセス(2.18原子%)と比較して,FLG(4.06原子%)において高いNドーピングレベルをもたらしたが,ECR FLG(118.62×10~4emu/g)の強磁性挙動は,rf-PECVD FLG(0.39×10~4emu/g)および元のグラフェン(3.47×10~4emu/g)よりも著しく高かった。両方のプラズマ過程は電子供与性N原子をグラフェン構造に導入するが,2つのFLG型に対して明確な支配的な窒素結合配置(ピリジン,ピロール)が観察された。ECRプラズマはより多くのsp2型窒素部分を導入したが,rf-PECVDプロセスはRaman測定により確認されたようにsp3配位窒素官能基の形成をもたらした。試料をさらにX線吸収端近傍分光法(XANES)を用いて特性化し,X線および紫外光電子分光法により,rf-PECVD試料における電子状態密度の増加およびピロール基の著しく高い濃度を明らかにした。反応性エッジ構造とピリジン窒素部分の形成のために,ECR官能化FLG試料は,最も低い磁場ヒステリシス特性を有する最も高い飽和磁化挙動を示した。比較すると,rf-PECVD試料は,磁気エッジ状態の消失とピロール型構造における安定な非ラジカル型欠陥の形成により,最低の飽和磁化を示した。したがって,実験結果は,プラズマ処理経路の制御を通して,数層グラフェンナノフレークの磁気的および電子的性質の制御に関する新しい証拠を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  XANES ,  *グラフェン ,  プラズマCVD ,  磁場 ,  飽和磁化 ,  *官能化 ,  強磁性 ,  *磁気 ,  *窒素 ,  プラズマ ,  窒素複素環化合物
準シソーラス用語： 官能基 ,  *ナノフレーク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (2件)： ピリジン ,  ピロール

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  官能化 ,  数層グラフェン ,  ナノフレーク ,  電子 ,  磁気的性質