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J-GLOBAL ID:201902285990924679   整理番号:19A2415622

超低格子熱伝導率を得るナノ構造n型Bi_2Te_3における高空隙率【JST・京大機械翻訳】

High Porosity in Nanostructured n-Type Bi2Te3 Obtaining Ultralow Lattice Thermal Conductivity
著者 (12件):
資料名:
巻: 11  号: 34  ページ: 31237-31244  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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多孔質構造は,低い格子熱伝導率を有する高性能熱電材料を開発するための完全な可能性を有している。本研究では,n型多孔質ナノ構造Bi_2Te_3ペレットを,容易なソルボサーマル法で合成したBi_2Te_3ナノプレートを焼結することにより作製した。放電プラズマ焼結中のBi_2TeO_5の適切な昇華により,均一に分布した細孔と緻密な結晶粒界がBi_2Te_3マトリックス中に導入され,強いフォノン散乱を引き起こし,それから,<0.1Wm~-1K-1の超低格子熱伝導率が多孔質ナノ構造Bi_2Te_3ペレットで達成された。良く維持された十分の電気的性能により,420Kで10.57μWcm-1K~-2の力率,および減少した格子熱伝導率が420Kで0.97の有望なzT値を確保し,純粋なn型Bi_2Te_3で報告された最も高い値である。本研究は,n型Bi_2Te_3ベース熱電材料における細孔とナノ構造の相乗フォノン散乱による超低格子熱伝導率実現の洞察を提供した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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その他の無機化合物の電気伝導  ,  熱電デバイス  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (3件):
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