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J-GLOBAL ID：201902286174393206   整理番号：19A2422345

真空スプレー蒸着AlドープZnO薄膜における熱アニールの電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical Properties of Thermal Annealed in Vacuum Spray Deposited Al-Doped ZnO Thin Films

著者 (7件)： Potlog T. (Physics Department and Engineering, Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Lungu I. (Physics Department and Engineering, Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Raevschi S. (Physics Department and Engineering, Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Botnariuc V. (Physics Department and Engineering, Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Robu S. (Physics Department and Engineering, Moldova State University, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Worasawat S. (Research Institute of Electronics Shizuoka University Hamamatsu, Hamamatsu, Japan) ,  Mimura H. (Research Institute of Electronics Shizuoka University Hamamatsu, Hamamatsu, Japan)
資料名： IFMBE Proceedings  (IFMBE Proceedings)
巻： 77  ページ： 83-87  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5069A  ISSN： 1680-0737  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlドープZnO薄膜をスプレー熱分解により調製し,ドーパント原子のより高い割合の取り込みを容易にした。420°Cの温度薄膜で熱アニールした真空をX線回折(XRD),光学分光法により特性化した。電気伝導率とHall効果を温度間隔(77~300)Kで調べた。X線解析結果は,すべての膜が,方向(002)面に従って優先配向を持つ六方晶系ウルツ鉱型構造を持つ多結晶であることを明らかにした。伝導率の温度依存性の異なる特性を,420°Cの温度で熱的にアニールしたAlドープZnO膜において観測した。全ての場合において,Ar下で得られたZnO薄膜の伝導率,移動度キャリアおよびキャリア濃度は,O_2雰囲気下よりも高く,それらが300単語よりも長くなければ,それらはドープされない。Copyright 2020 Springer Nature Switzerland AG Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  キャリア密度 ,  キャラクタリゼーション ,  ドーパント ,  *蒸着 ,  六方晶系 ,  *薄膜 ,  *ドーピング ,  X線回折 ,  アルゴン ,  温度依存性 ,  多結晶 ,  優先配向 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 伝導率 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 噴霧熱分解 ,  AlドープZnO薄膜 ,  XRD ,  伝導率 ,  キャリア濃度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 真空 ,  スプレー ,  蒸着 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  熱アニール ,  電気的性質