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J-GLOBAL ID:201902286189208218   整理番号:19A0690365

CIP法によるTOF過渡電流波形のシミュレーション

Simulation of TOF Transient Currents by the CIP Method
著者 (4件):
資料名:
号: 46  ページ: 19-26 (WEB ONLY)  発行年: 2018年12月26日 
JST資料番号: U0678A  ISSN: 2189-3594  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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負バイアス高抵抗率半導体検出器材料における光生成電荷キャリアの一次元ドリフト拡散方程式を,半ラグランジアン型移流スキームのconstrained profile interpolation(CIP)法により解いた。その解から得た電荷キャリア分布と内部電場の時間発展を用いて,飛行時間(TOF)法で測定した実験的過渡電流波形を再構成する。電子ドリフトに対するいくつかの異なるバイアス電圧と励起強度に対する実験電流波形と理論結果が非常に良く一致することを確認した。さらに,ここでの結果は電荷キャリアドリフトの独立した理論的手法であるモンテカルロシミュレーションと良く一致することも確認した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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偏光測定と偏光計  ,  放射線検出・検出器 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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