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J-GLOBAL ID：201902286233597240   整理番号：19A1770691

ナノワイヤ電界効果トランジスタセット応答の解析:幾何学的考察【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Nanowire Field-Effect Transistors SET Response: Geometrical Considerations

著者 (12件)： Gaillardin Marc (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Raine Melanie (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Martinez Martial (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Duhamel Olivier (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Riffaud Jonathan (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Lagutere Thierry (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Marcandella Claude (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Paillet Philippe (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Richard Nicolas (CEA, DAM, DIF, Arpajon, France) ,  Vinet Maud (CEA, LETI-Minatec, Grenoble, France) ,  Andrieu Francois (CEA, LETI-Minatec, Grenoble, France) ,  Barraud Sylvain (CEA, LETI-Minatec, Grenoble, France)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 66  号： 7  ページ： 1410-1417  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン-オン-インシュレータ(SOI)トリゲートシリコンナノワイヤの単一イベント過渡(SET)応答を,電流過渡の直接測定を用いて調べた。主なSET特性を用いて,ナノワイヤ形状の影響を検討した。すなわち,継続時間,振幅,および積分値である。実験結果は,重イオン照射により誘起された発生電流過渡に及ぼすナノワイヤ幅の重要な影響を実証した。堆積エネルギーと技術計算機支援設計(TCAD)シミュレーションの両方のモンテカルロ計算は,発生した電流過渡現象を緩和するSOIトリゲートシリコンナノワイヤ能力の証拠を与える。TCAD計算を用いて,SOIナノワイヤ電界効果トランジスタ(NWFET)における過渡電荷収集機構に及ぼすナノワイヤ幅,厚さ,およびゲート長を含む主要なナノワイヤ幾何学的パラメータの影響を検討した。薄くて狭いNWFET設計は,ナノワイヤへの静電ポテンシャルを超える周囲のゲートの制御を強化する。重イオン衝突により誘起された浮体効果の開始は減少し,SET生成を緩和する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 重イオン衝突 ,  モンテカルロ法 ,  *ナノワイヤ ,  積分 ,  過渡現象 ,  CAD【計算機】 ,  重イオン照射 ,  電流 ,  シミュレーション ,  浮体
準シソーラス用語： 静電ポテンシャル ,  ゲート長 ,  電荷収集 ,  TCAD ,  直接測定 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  応答 ,  解析 ,  幾何学