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J-GLOBAL ID：201902286344535383   整理番号：19A2686140

<1120>方向に沿った高電場下の4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果

Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along the 〈1120〉 direction

著者 (8件)： MAEDA Takuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHI Xilun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Hajime (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HORITA Masahiro (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 9  ページ： 091007.1-091007.4  発行年： 2019年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Franz-Keldysh(FK)効果により誘起される光吸収の電場依存性は電場に沿った還元有効質量の値に強く依存する。本研究では,サブバンドギャップ照射下での4H-SiC{1120}p-n接合ダイオードの逆電流-電圧特性を調べた。逆バイアス条件下では,FK効果により誘起された光電流が観測され,逆電圧と共に増加した。c軸に垂直な減少した有効質量(μ_⊥=0.26m₀)を用いて,空乏領域におけるFK効果により誘起されたフォノン支援光吸収を考慮して光電流を計算し,計算値は実験値と良く一致した。この結果は,4H-SiCにおけるFK効果によって誘起された光吸収の異方性が小さいことを示し,それはc軸に垂直な有効質量の減少(μ_⊥=0.26m₀)がc軸に平行なもの(μ_∥=0.28m₀)に近いからである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電場 ,  結晶方位 ,  *炭化ケイ素 ,  *PN接合 ,  *Franz-Keldysh効果 ,  光吸収 ,  *依存性 ,  有効質量 ,  電流電圧特性 ,  光電流 ,  照射損傷
準シソーラス用語： 高電場 ,  *4H-SiC ,  *電場依存性 ,  空乏領域

分類 (1件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電場 ,  4H-SiC ,  p-n接合 ,  ダイオード ,  Franz-Keldysh効果