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J-GLOBAL ID：201902286405571487   整理番号：19A1408244

グラフェン/ゲルマニウムヘテロ構造における垂直電荷移動と横方向輸送【JST・京大機械翻訳】

Vertical Charge Transfer and Lateral Transport in Graphene/Germanium Heterostructures

著者 (13件)： Kazemi Alireza (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Ohio, United States) ,  Kazemi Alireza (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, New Mexico, United States) ,  Vaziri Sam (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Aguirre Morales Jorge Daniel (Universite Bordeaux 1, CNRS, UMR 5218, France) ,  Fregonese Sebastien (Universite Bordeaux 1, CNRS, UMR 5218, France) ,  Cavallo Francesca (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, New Mexico, United States) ,  Zamiri Marziyeh (University of Wisconsin-Madison, Wisconsin, United States) ,  Dawson Noel (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, New Mexico, United States) ,  Artyushkova Kateryna (Department of Chemical and Nuclear Engineering, University of New Mexico, New Mexico, United States) ,  Jiang Ying Bing (Center for Micro-Engineered Materials, University of New Mexico, New Mexico, United States) ,  Brueck Steven J. R. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, New Mexico, United States) ,  Krishna Sanjay (Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Ohio, United States) ,  Krishna Sanjay (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, New Mexico, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 18  ページ： 15830-15840  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料と従来の半導体から成るヘテロ構造は,新しいデバイス概念への応用により多くの注目を集めている。本研究では,グラフェン/ゲルマニウムヘテロ構造の横方向輸送特性を調べ,SiO_2上のグラフェンの輸送特性と比較した。ヘテロ構造を,軽くドープしたゲルマニウム(Ge)(100)基板上にグラフェン(Gr)の単層を移すことにより作製した。電界効果測定は,SiO_2上のGrのそれと比較して,Ge基板上のGrのDirac電圧のシフトを明らかにした。移動長さモデル測定は,SiO_2上のGrと比較して,Ge上のGrのシート抵抗の有意差を示した。電気的及び構造的特性化からの結果は,10~12cm-2のオーダーの電荷移動がGrとGeの間で起こり,グラフェンシートにおけるドーピング効果をもたらすことを示唆した。コンパクトな静電モデルはGr/Ge界面の重要な電子特性を抽出した。本研究は,Ge上のGrの電子的性質に対する価値ある洞察を提供し,これは混合2Dおよび3D構造に基づく新しいデバイスの開発に重要である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  界面 ,  三次元 ,  電場効果 ,  *グラフェン ,  モデル ,  電圧 ,  *電荷移動 ,  シート抵抗 ,  単一層 ,  二次元 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： ドーピング効果 ,  輸送特性 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  ゲルマニウム ,  ヘテロ構造 ,  垂直 ,  電荷移動 ,  横方向 ,  輸送