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J-GLOBAL ID：201902286449351338   整理番号：19A1318302

TiAl/Ti_3SiC_2拡散接合継手における界面化合物の微細構造発展と成長速度論【JST・京大機械翻訳】

Microstructural evolution and growth kinetics of interfacial compounds in TiAl/Ti₃SiC₂ diffusion bonding joints

著者 (5件)： Wang Qi (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116085, PR China) ,  Chen Guo-qing (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116085, PR China) ,  Wang Kang (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116085, PR China) ,  Fu Xue-song (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116085, PR China) ,  Zhou Wen-long (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 116085, PR China)
資料名： Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing  (Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing)
巻： 756  ページ： 149-155  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0589B  ISSN： 0921-5093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiAl金属間化合物は900°C,950°C,1000°CでTi_3SiC_2に直接拡散し,保持時間は0.25hから64hの範囲であった。接合TiAl/Ti_3SiC_2継手の界面微細構造進展,成長速度論および機械的性質を系統的に研究した。TiAl/Ti_3SiC_2継手における界面化合物の蓄積は,γ+α_2/γ/Ti_5Si_3/Ti_3SiC_2からγ+α_2/γ/TiAl_2/Ti_5Si_3/Ti_3SiC_2に変化し,保持時間または結合温度が増加するにつれてγ+α_2/γ/TiAl_2/Ti_3+Ti_5Si_3/Ti_5Si_4/Ti_5Si_3/Ti_3SiC_2に変化した。接合部における界面相の形成順序は,Ti_5Si_3→Ti_5Si_4→TiAl_2→TiAl_3であった。Ti_3SiC_2からTiAl基合金へ拡散し,Tiと反応する脱インターカレーションSi原子は,界面反応層の形成の原因となった。界面反応層の厚さは放物線速度則に従って成長し,それらの成長はバルク拡散によって制御されることを示した。結合活性化エネルギーは213kJ/molであった。900°Cで9時間接合した接合部は,γ+α_2/γ/TiAl_2/Ti_5Si_4/Ti_5Si_3/Ti_3SiC_2界面微細構造と6μmの全厚さを有する最も高い剪断強度(約53MPa)を有した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固体内拡散 ,  *微細構造 ,  保持時間 ,  *拡散接合 ,  *界面 ,  金属間化合物 ,  インターカレーション ,  接合部 ,  *チタン ,  *接合 ,  活性化エネルギー ,  剪断強さ
準シソーラス用語： 界面反応層 ,  成長速度論 ,  *チタンアルミニウム合金 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ti_3SiC_2 ,  TiAl ,  拡散接合 ,  微細構造の発展 ,  成長速度論

分類 (3件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  ろう付  (WC07050C) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (7件)： TiAl ,  拡散 ,  接合継手 ,  界面 ,  微細構造 ,  発展 ,  成長速度論