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J-GLOBAL ID：201902286554634020   整理番号：19A2822139

正方晶ジルコニアへの応用による強弾性分域スイッチングのための多相場理論【JST・京大機械翻訳】

Multiphase field theory for ferroelastic domain switching with an application to tetragonal zirconia

著者 (11件)： Pi Z.P. (Key Laboratory of Low Dimensional Materials Application Technology, Xiangtan University, Ministry of Education, Hunan 411105, China) ,  Pi Z.P. (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Hunan 411105, China) ,  Zhang F. (Key Laboratory of Low Dimensional Materials Application Technology, Xiangtan University, Ministry of Education, Hunan 411105, China) ,  Zhang F. (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Hunan 411105, China) ,  Chen J.B. (School of Mechanical Engineering and Mechanics, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Zhu W. (Key Laboratory of Low Dimensional Materials Application Technology, Xiangtan University, Ministry of Education, Hunan 411105, China) ,  Zhu W. (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Hunan 411105, China) ,  Yang L. (Key Laboratory of Low Dimensional Materials Application Technology, Xiangtan University, Ministry of Education, Hunan 411105, China) ,  Yang L. (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Hunan 411105, China) ,  Zhou Y.C. (Key Laboratory of Low Dimensional Materials Application Technology, Xiangtan University, Ministry of Education, Hunan 411105, China) ,  Zhou Y.C. (School of Materials Science and Engineering, Xiangtan University, Hunan 411105, China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 170  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多相場理論と対応する有限要素シミュレーションを,バルクポリドメイン正方晶ジルコニア(t′-ジルコニア)における強弾性分域スイッチングを記述するために開発した。強誘電体薄膜で使用されるLandau-Devinshire理論とは異なる著者らのモデルにおける機械的双晶化としての強弾性スイッチングを考察した。このアプローチはいくつかの方向で進歩している:熱力学的ポテンシャルを開発し,多相場フレームワークを持つ磁壁に界面張力を導入する;自発歪,保磁力およびヒステリシスループのような強弾性特性をポテンシャルから明確に導いた。そして,界面エネルギーにおける五項化項を導入して,ヒステリシスを正確に記述するための異なるドメイン間のスイッチング経路を制約した。位相場モデルを外部応力t′-ジルコニアの三つのドメイン間のスイッチング則の予測に適用した。数値シミュレーションにより,相場解と実験的観察との間のかなりの一致を示し,二組のドメインが一軸圧縮の適用で第三のセットを犠牲にして成長することを示した。シミュレーションはまた,ドメインスイッチングが起こり,コロニードメインパターン内で発達する現象を再現した。すなわち,スイッチング規則は,適用応力テンソルと材料の既存ドメインパターンにより支配される。開発したアプローチは,電場の不在下での印加応力を受ける任意の純粋な強弾性材料または強誘電体のドメインスイッチングを研究するために拡張できる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁壁 ,  セラミック ,  *強弾性 ,  強誘電体 ,  界面張力 ,  応力テンソル ,  表面エネルギー ,  *分域 ,  双晶 ,  *多相 ,  計算機シミュレーション ,  電場 ,  熱力学 ,  *場の理論 ,  保磁力 ,  *酸化ジルコニウム ,  計算機利用 ,  利用

著者キーワード (5件)： 強弾性 ,  双晶 ,  微細構造 ,  セラミック材料 ,  有限要素

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正方晶ジルコニア ,  応用 ,  スイッチング ,  多相 ,  場理論