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J-GLOBAL ID:201902286819590370   整理番号:19A2045886

0.13μm SiGe BiCMOSにおけるマイクロ波周波数での調整可能なQ増強LCデュアルバンドフィルタリング【JST・京大機械翻訳】

Tunable Q-enhanced LC dual-band filtering at microwave frequencies in 0.13 μm SiGe BiCMOS
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資料名:
巻: 10  号: 5-6  ページ: 635-642  発行年: 2018年 
JST資料番号: W5471A  ISSN: 1759-0787  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,0.13μm SiGe BiCMOS技術におけるX-およびKu-バンドにおける並列合成技術を用いたアクティブQ-増強LCデュアルバンドバンドパスフィルタリング手法を提案した。二つの独立同調可能な並列LCタンクを用いて,独立に同調可能な二重帯域フィルタリングを実現した。より高い帯域外(OOB)減衰に対して,2つの2次帯域通過フィルタの減算を実行した。2つのバンドはQと中心周波数に関して独立に調整可能である。9.7GHzと13.9GHzでの二重帯域フィルタは,3GHz以下で>50dBのOOB減衰で165~154.5dBの正規化ダイナミックレンジを達成した。2つの帯域の間で,2つの通過帯域がそれぞれ200MHz帯域幅を持つとき,減衰は22dBである。全群遅延は,それぞれ20と50のQに対して0.8nsと1.9nsである。このフィルタは,最新の集積フィルタの状態と比較して,X-およびKu-バンドでより広いバンドチャネルを有するより良いOOB除去を達成した。フィルタはDC電力の115~130mWを消費する。コアダイ面積は0.53×0.7mm2である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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フィルタ一般 
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