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J-GLOBAL ID:201902286854719611   整理番号:19A0012962

β-BeH_2におけるバンド分散と電荷移動【JST・京大機械翻訳】

Bands dispersion and charge transfer in β-BeH2
著者 (3件):
資料名:
巻: 1942  号:ページ: 090031-090031-3  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ab initio法の予測能力を用いて,β-BeH_2におけるバンド分散と電荷移動を調べた。密度汎関数理論のレベルで原子軌道法の線形結合を用いて研究を行った。結晶構造と関連パラメータは,全エネルギー計算をMurnaghan状態方程式と結合することにより決定した。PBE-GGAからの電子バンド分散を報告した。PBE-GGAとPBE0ハイブリッド汎関数は,β-BeH_2が1.18と2.40eVのバンドギャップを有する直接ギャップ半導体であることを示した。バンドギャップは圧力と共にゆっくり減少し,r点での伝導と価電子バンドの10000GPa以上の重なりが観測された。電荷移動をMullikenポピュレーション解析により研究した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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半導体結晶の電子構造 
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