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J-GLOBAL ID:201902286907826734   整理番号:19A1409412

ナノクラスタの局所構造制御による超低温溶液処理酸化アルミニウム誘電体【JST・京大機械翻訳】

Ultralow-Temperature Solution-Processed Aluminum Oxide Dielectrics via Local Structure Control of Nanoclusters
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 40  ページ: 35114-35124  発行年: 2017年10月11日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化物誘電体材料は,半導体デバイスから新しい摩耗可能でソフトなバイオエレクトロニクスデバイスへの広い範囲の高性能固体エレクトロニクスにおいて重要な役割を果たしている。いくつかの以前の進歩が注目されているが,それらの典型的な加工温度は,依然としてソフト材料の熱的限界をはるかに超えており,これらの新しい分野での広い利用を妨げている。ここでは,酸化物ナノクラスタ前駆体のクラスを持つ超低温(<60°C)溶液プロセスを用いて,高度に信頼性のある酸化アルミニウム誘電体膜を形成するための革新的なルートを報告する。酸化物誘電体膜の極端に低温合成は,空間的に制御可能で高エネルギーの光活性化プロセスと組み合わせた低不純物,嵩高い金属-オキソ-ヒドロキシナノクラスタを用いて達成した。室温光活性化過程は金属-オキソ-ヒドロキシクラスタの解離において非常に効果的であり,低温で高密度原子ネットワークの形成を可能にすることは注目に値した。超低温溶液処理した酸化物誘電体は,高い破壊電界(>6MV cm-1),低い漏れ(2MV cm-1で~1×10-8Acm-2),および真空蒸着および高温処理誘電体膜のそれらに匹敵する優れた電気安定性を示した。酸化物誘電体の潜在的応用のために,透明金属酸化物およびカーボンナノチューブ活性デバイスならびに集積回路を,超薄高分子および高延伸性基板上に直接実装した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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