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J-GLOBAL ID：201902287044676940   整理番号：19A0658834

透明エレクトロニクス用の孤立フレークの横方向縫合成長と構造修復による高品質モノリシックグラフェン膜【JST・京大機械翻訳】

High-Quality Monolithic Graphene Films via Laterally Stitched Growth and Structural Repair of Isolated Flakes for Transparent Electronics

著者 (19件)： Sun Hongyan (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Sun Hongyan (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, P. R. China) ,  Li Xinming (National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Li Xinming (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, China) ,  Li Yuanchang (Advanced Research Institute for Multidisciplinary Science, Beijing Institute of Technology, P. R. China) ,  Chen Guoxin (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Zhiduo (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Alam Fakhr E. (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Dai Dan (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Li (National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Tao Li (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, China) ,  Xu Jian-Bin (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, China) ,  Fang Ying (National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Li Xuesong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices and School of Microelectronics and Solid State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, China) ,  Zhao Pei (Institute of Applied Mechanics and Key Laboratory of Soft Machines and Smart Devices of Zhejiang Province, Zhejiang University, P. R. China) ,  Jiang Nan (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Ding (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, P. R. China) ,  Lin Cheng-Te (Key Laboratory of Marine Materials and Related Technologies, Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials and Protective Technologies, Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Lin Cheng-Te (University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 18  ページ： 7808-7815  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液中のグラフェンフレークの剥離は高収率で低コストの合成法であるが,官能基と構造欠陥の存在のために,得られたグラフェンフレークの品質は高くない。したがって,優れた電気的性質を有する高品質グラフェンを合成する能力は電子応用に望ましい。ここでは,連続的でモノリシックな膜を形成するために孤立した部分の横方向ステッチングを伴う,粗い絶縁基板上の孤立したグラフェンフレーク中の構造修復のためのニッケルを用いた容易で迅速なアニーリングアプローチを提示した。この過程は,グラフェンフレークの脱飽和端で合体する活性炭素種を含む。一方,グラフェンにおける欠陥も,その結晶品質と電気的性質を改善するために修復することができる。著しいことに,優れた構造特性を持つグラフェンのキャリア移動度は,平均で>1000cm~2V~-1s-1であり,銅でのプロセスの約10倍,または,単なるアニーリングを介したグラフェンのそれより100倍高い。移動フリーで良く適合した特性を有する,粗い絶縁基板上の高品質グラフェンへのこのアプローチは,電子およびオプトエレクトロニクス応用に有望である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ニッケル ,  *電子技術 ,  *グラフェン ,  活性炭 ,  構造特性 ,  *品質 ,  オプトエレクトロニクス ,  キャリア移動度 ,  焼なまし ,  *フレーク ,  電気的性質 ,  銅
準シソーラス用語： 構造欠陥 ,  官能基 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： エレクトロニクス ,  フレーク ,  横方向 ,  縫合 ,  成長 ,  修復 ,  高品質 ,  グラフェン膜