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J-GLOBAL ID:201902287072478790   整理番号:19A1886310

三次元Dirac半金属Cd_3As_2ナノワイヤ中に形成された量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Quantum Dots Formed in Three-dimensional Dirac Semimetal Cd3As2 Nanowires
著者 (14件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 1863-1868  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ゲートと磁場をもつ二つの静電同調p-n接合を用いて,三次元Dirac半金属Cd_3As_2ナノワイヤにおける量子ドット(QD)形成を実証した。高磁場下でのゲート電圧の関数として測定した線形コンダクタンスは,ゼロコンダクタンスに近いDirac点で強く抑制され,強いコンダクタンス振動を示した。注目すべきことに,この領域では,Cd_3As_2ナノワイヤ素子はCoulombダイヤモンドの特徴を示し,Dirac半金属ナノワイヤ中に清浄な単一QDが形成されることを示している。著者らの結果は,p型QDが,強磁場下でゲート電圧を印加することにより,ナノワイヤ中の金属接触の下にある2つのn型の間に形成されることを示した。ギャップのないバンド構造における量子閉込めの解析により,p型QDと2つの隣接n型の間に形成されたp-n接合がサイクロトロン運動による抵抗トンネル障壁として振舞い,Kleinトンネリングの抑制をもたらすことを確認した。磁場誘起閉込めを持つp型QDは単一正孔充填を示した。これらの結果は,Dirac及びWeyl半金属に基づくQD又は量子点接触のような量子素子への道を開くであろう。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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