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J-GLOBAL ID：201902287128330065   整理番号：19A2304848

紙基板上の高性能と安定性を有する溶液処理有機電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors with High Performance and Stability on Paper Substrates

著者 (5件)： Raghuwanshi Vivek (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Rajasthan, India) ,  Bharti Deepak (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Rajasthan, India) ,  Mahato Ajay Kumar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Rajasthan, India) ,  Varun Ishan (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Rajasthan, India) ,  Tiwari Shree Prakash (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Rajasthan, India)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11  号： 8  ページ： 8357-8364  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性層としてTIPS-ペンタセン:ポリスチレン混合物,ハイブリッドゲート誘電体としてポリ-(4-ビニルフェノール)/HfO_2を用いて,PowerCoat HD230紙基板上に高性能動作安定有機電界効果トランジスタを作製することに成功した。作製した素子は,それぞれ0.44および0.22(±0.11)cm~2V~-1s-1の最大およびav電界効果移動度を有する優れたpチャネル特性を示し,-10Vで動作する間,それぞれ,0.021(±0.63)Vのav閾値電圧および約10~5の電流オン-オフ比を示した。これらのデバイスは,ゲートバイアスストレスの影響下で顕著な安定性を示し,無視できる性能広がりを伴う多数の繰り返し移動走査を示した。さらに,これらのデバイスは,湿度に対する長い曝露期間後に非常に安定な電気的特性を示し,環境において6カ月以上の優れたシェルフライフを示した。しかし,高温での熱応力は,活性半導体結晶における亀裂の発生と伝搬のため,素子特性を悪化させる。さらに,これらのデバイスを用いて新しい紙ベースのフォトトランジスタを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  ゲート絶縁膜 ,  フォトトランジスタ ,  シェルフライフ ,  活性層 ,  高温 ,  電流 ,  湿度 ,  亀裂 ,  *基板 ,  チャネル
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  ゲートバイアス ,  閾値電圧 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機電界効果トランジスタ(OFET) ,  紙基板 ,  TIPS-ペンタセン:ポリマブレンド ,  低電圧 ,  運用安定性

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 紙 ,  高性能 ,  安定性 ,  溶液処理 ,  有機電界効果トランジスタ