原子層堆積によるSrTiO_3(001)上のエピタキシャルBaSnO_3とSrSnO_3ペロブスカイト成長【JST・京大機械翻訳】

Chen Pei-Yu; Lam Chon Hei; Edmondson Bryce; Posadas Agham B.; Demkov Alexander A.; Ekerdt John G.

文献

J-GLOBAL ID：201902287222542390 整理番号：19A2173382

原子層堆積によるSrTiO_3(001)上のエピタキシャルBaSnO_3とSrSnO_3ペロブスカイト成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial BaSnO₃ and SrSnO₃ perovskite growth on SrTiO₃(001) via atomic layer deposition

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資料名：
巻： 37 号： 5 ページ： 050902-050902-8 発行年： 2019年
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

BaSnO_3成長速度が0.46±0.03Åで,SrSnO_3成長速度がALD単位サイクル当たり0.69±0.04Åである180°Cでの原子層蒸着(ALD)により,SrTiO_3(001)基板上のエピタキシャルBaSnO_3(001)とSrSnO_3(001)成長を報告した。反射高エネルギー電子回折,X線回折(XRD)およびロッキング曲線解析により,STO(001)上のBaSnO_3(001)およびSrSnO_3(001)薄膜の単結晶性を検証した。一方,原子間力顕微鏡分析は,約0.4nmのrms粗さ値をもつスズ酸塩膜の滑らかな表面を明らかにした。これは,0.32nmのSTO基板粗さよりわずかに高かった。面外XRDと逆空間マッピングは,BaSnO_3(001)とSrSnO_3(001)(~10nm)の両方がSTO(001)上で完全に緩和され,大きな格子不整合(BaSnO_3/STOの5.1%とSrSnO_3/STOの3.2%)によることを示した。可視光透過率スペクトルは,ALD成長BaSnO_3とSrSnO_3薄膜が,STO(001)基板の透明度に適合する400~800nmで高い透明度を有することを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物薄膜

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