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J-GLOBAL ID：201902287265882620   整理番号：19A1604792

新しい抵抗性フィールドプレート超接合類似構造シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

A Novel Resistive Field Plate Superjunction like Structure Simulation Study

著者 (6件)： Tan Kaizhou (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing, China) ,  Tang Zhaohuan (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing, China) ,  Zhang Xia (ChongQing Semi-Chip Electronics Co., Ltd., Chongqing, China) ,  Fu Qiang (Chengdu Technological University, Chengdu, China) ,  Chen Wensuo (School of Electrical Engineering, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zhong Yi (ChongQing Semi-Chip Electronics Co., Ltd., Chongqing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDSSC  ページ： 1-3  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい超接合様超低特異オン抵抗(R_on,sp)構造を,抵抗場プレートとRESURF原理に基づいて提案した。数値シミュレーション結果は,構造が,628Vブロッキング電圧において,12mΩcm~2のspを特徴とし,60Vのブロッキング電圧をもつ5V順方向バイアスにおいて,3.4mΩcm~2まで低下することを示した。電荷平衡挙動に関して,構造は,-75%から+100%までの電荷不均衡を有する611Vから642Vの範囲のピーク破壊電圧(BV)点を特徴とし,それは一般的な超接合構造よりも大きい。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  ブロッキング ,  バイアス ,  *シミュレーション ,  電荷 ,  電圧
準シソーラス用語： 接合構造 ,  絶縁破壊電圧 ,  不均衡 ,  チャージバランス ,  数値シミュレーション ,  RESURF ,  *超接合 ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 抵抗性 ,  フィールドプレート ,  超接合 ,  類似 ,  シミュレーション ,  研究