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J-GLOBAL ID：201902287478980746   整理番号：19A1200633

金属および半導体単層カーボンナノチューブの高周波加熱【JST・京大機械翻訳】

Radio frequency heating of metallic and semiconducting single-walled carbon nanotubes

著者 (5件)： Anas Muhammad (Artie McFerrin Department of Chemical Engineering, Texas A&M University, College Station, TX, USA. [e-mail]) ,  Zhao Yang ,  Saed Mohammad A. ,  Ziegler Kirk J. ,  Green Micah J.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 11  号： 19  ページ： 9617-9625  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,SWCNT膜の高周波(RF)加熱に対する応答に及ぼす単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)の金属(m-)および半導体(s-)特性の影響を報告する。初期SWCNT混合物から高純度m-およびs-SWCNTを分離し,真空濾過法を用いて薄膜を調製した。膜の面積密度は9.6μg・cm-2で,DC伝導率は7800~49000S・m-1の範囲であった。RFアプリケータを用いた膜の急速で非接触Joule加熱を示し,60~70MHzの周波数範囲で最大加熱速度を観測した。より導電性のm-SWCNT膜は,s-SWCNT膜に対して25.6°Cs-1の最大加熱速度と比較して,1.51°Cs-1の最大速度でRF場と熱を反映することを決定した。しかし,m-SWCNTは,誘電媒体中に分散したとき,s-SWCNTよりも速く加熱された。著者らの結果は,伝導率が加熱に必要であるが,高い値が反射と相関するようなCNTベース材料に対するRF加熱速度と伝導率の間の非単調な関係を確認した。また,膜中の不純物が伝導率とRF加熱速度に影響するので,RF加熱が膜純度を評価するための可能な計量であることを示唆した。RF加熱がSWCNTベースのエレクトロニクスで起こり,それらの性能に影響することを予想した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子技術 ,  加熱速度 ,  導電性 ,  高速度 ,  *半導体 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  純度 ,  薄膜 ,  媒質 ,  抵抗加熱 ,  不純物
準シソーラス用語： 最高速度 ,  非接触 ,  アプリケータ ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単層カーボンナノチューブ ,  高周波加熱