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J-GLOBAL ID：201902287480080759   整理番号：19A1296525

三次元積層型センサ/ディテクタ 3μm金円錐バンプ接合を使った積層型ピクセルディテクタ

著者 (1件)： 元吉真 (東北マイクロテック)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 29  号： 6  ページ： 65-70  発行年： 2019年06月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・センサ/ディテクタの三次元積層化の利点として,1)積層チップ表面全体がセンサ領域になる,2)センサとROIC(読み出しIC)間の短い多数の配線接続が可能であるが,その際,電気的に上下チップを接合する手段であるNpD(Nano-Particle Deposition)装置を使った金円錐バンプ接合を解説。
・NpD法で作成した円錐バンプを使った集積化技術を評価するため,開発ビークルとしてピクセル型素粒子検出器を作成し,ピクセルアレイ全体で均一なバンプ接合ができていることを確認。
・マイクロバンプ接合の電気的特性として,デイジーチェイン抵抗の接続バンプ数依存性を評価し,抵抗値がバンプ数に応じてリニアに変化し,バンプ抵抗は約0.25Ω/個の結果を得,さらに,バンプ起因の機械的ストレスにより電子移動度が上がり,トランジスタ特性に良い影響を与えることを示唆。

シソーラス用語： 集積回路 ,  電子技術 ,  *センサ ,  *検出器 ,  *ピクセル検出器 ,  *バンプ ,  *接合 ,  ストレス ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *3D形状センサ ,  *ディテクタ ,  ピクセルセンサ ,  マイクロバンプ ,  機械的ストレス ,  *三次元積層IC ,  *三次元積層化技術 ,  電子移動度

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ディテクタ ,  円錐 ,  バンプ ,  ピクセル