文献

J-GLOBAL ID：201902287652648990   整理番号：19A1415931

ポリイミド基板上の高温結晶化薄膜PZT【JST・京大機械翻訳】

High-temperature crystallized thin-film PZT on thin polyimide substrates

著者 (4件)： Liu Tianning (Department of Electrical Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Wallace Margeaux (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Trolier-McKinstry Susan (Department of Electrical Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Jackson Thomas N. (Department of Electrical Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 16  ページ： 164103-164103-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子基板上の柔軟な圧電薄膜は,センシング,作動,およびエネルギー収穫応用における利点を提供する。しかし,高分子上のPb(Zr_x,Ti_1-x)O_3(PZT)のような多くの無機圧電材料の直接堆積は,結晶化に必要な高温のために困難である。PZT薄膜の移動過程について述べた。PZT膜は白金被覆シリコンのような高温基板上に最初に成長させた。結晶化後,高分子層を添加し,高分子-PZT組合せを,高分子層を用いて放出層をエッチングすることにより高温基板から除去し,次に基板にした。ポリイミド上に放出されたPZTは,剛性基板からの除去後の基板クランプの減少により,誘電応答の増強を示した。Pb(Zr_0.52,Ti_0.48)_0.98Nb_0.02O_3膜では,Siからの放出は残留分極を17.5μC/cm2から26μC/cm2に増加させた。さらに,ポーリングは,放出された膜における強弾性/強誘電再配列の増加をもたらした。1kHzでは,平均誘電率は3%以下の損失正接をもつSiからの放出後に約1160と測定された。Rayleigh測定により,高分子上に放出されたPZT膜における基板束縛の減少と磁壁移動度の増加の間の相関をさらに確認した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電率 ,  強弾性 ,  損失正接 ,  剛性 ,  被覆 ,  ケイ素 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *高温 ,  *結晶化 ,  *ポリイミド ,  *基板 ,  残留分極 ,  *薄膜 ,  高分子
準シソーラス用語： 誘電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリイミド ,  結晶化 ,  薄膜 ,  PZT