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J-GLOBAL ID：201902287793971507   整理番号：19A1249375

酸化マンガン及び酸化ハフニウム素子における形成フリー抵抗スイッチング特性

Forming-free resistive switching characteristics in manganese oxide and hafnium oxide devices

著者 (9件)： HU Quanli (Inner Mongolia Univ. for Nationalities (IMUN), Tongliao, CHN) ,  ABBAS Haider (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KANG Tae Su (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Tae Sung (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Nam Joo (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Mi Ra (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  YOON Tae-Sik (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Jaewan (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KANG Chi Jung (Myongji Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 4  ページ： 044001.1-044001.6  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt底面電極とAg上部電極間に挟まれた酸化ハフニウムと酸化マンガン二重層膜の抵抗スイッチング特性を調べた。素子はバイポーラ抵抗スイッチングを示した。酸化ハフニウムと酸化マンガン単一層を持つ素子と比較して,二層素子は,形成フリー挙動,高抵抗比(>10^5-6),良好な保持特性を含む良好な抵抗スイッチング挙動を示した。二層素子の形成フリー挙動は,抵抗ランダムアクセスメモリ応用に非常に有用であった。高い抵抗比は貯蔵情報を区別するのに有益であった。酸化物層におけるAg導電性フィラメントの形成と破壊は抵抗変化をもたらした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化マンガン ,  *酸化ハフニウム ,  *スイッチング ,  白金電極 ,  電極 ,  二重構造 ,  電気抵抗 ,  *RAM【メモリ】 ,  *フィラメント ,  変化
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  銀電極 ,  二重層構造 ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ ,  *導電性フィラメント ,  抵抗変化

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (32件)：

• H. Wu, X. H. Wang, G. Bin, N. Deng, Z. Lu, B. Haukness, G. Bronner, and H. Qian, Proc. IEEE 105, 1770 (2017).
• H. S. P. Wong, H. Y. Lee, S. Yu, Y. S. Chen, Y. Wu, P. Chen, B. Lee, F. T. Chen, and M. J. Tsai, Proc. IEEE 100, 1951 (2012).
• I. Valov, ChemElectroChem. 1, 26 (2014).
• J. Y. Son, Y. H. Shin, H. Kim, and H. M. Jong, ACS Nano 4, 2655 (2010).
• W. G. Kim and S. W. Rhee, Microelectron. Eng. 87, 98 (2010).

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化マンガン ,  酸化ハフニウム ,  スイッチング特性