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J-GLOBAL ID：201902288012049061   整理番号：19A2430058

Ru錯体/プロトン伝導性ポリマーのヘテロ接合系におけるメモリスタ特性の検討

著者 (3件)： 比留間友亮 (中大 院) ,  長尾祐樹 (北陸先端科学技術大学院大) ,  芳賀正明 (中大 院)
資料名： 錯体化学会討論会講演要旨集  (Book of Abstracts. JSCC Annual Symposium)
巻： 69th  ページ： 135  発行年： 2019年09月02日 
JST資料番号： G0400B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： プロトン共役電子移動反応を示す2つのRu錯体を,層毎法...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *ルテニウム錯体 ,  *回路部品 ,  電子移動 ,  電極 ,  自己組織化 ,  薄膜成長 ,  ヘテロ接合 ,  プロトン伝導 ,  *ポリビニルピリジン ,  電気伝導 ,  スペクトロスコピー ,  電流電圧特性 ,  *導電性高分子 ,  *分子素子 ,  プロトン共役電子移動 ,  電気化学インピーダンス分光法
準シソーラス用語： ITO電極 ,  *メモリスタ ,  レイヤーバイレイヤー自己集合

分類 (3件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  混合伝導  (BM03060U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ru錯体 ,  プロトン伝導性 ,  ポリマー ,  ヘテロ接合 ,  メモリスタ