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J-GLOBAL ID：201902288016608959   整理番号：19A1415722

Ni_80Fe_20/MgO/p-Si薄膜におけるスピン媒介磁気-電気-熱輸送挙動【JST・京大機械翻訳】

Spin mediated magneto-electro-thermal transport behavior in Ni₈₀Fe₂₀/MgO/p-Si thin films

著者 (3件)： Lou P. C. (Department of Mechanical Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Beyermann W. P. (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Kumar S. (Department of Mechanical Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 12  ページ： 123905-123905-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siにおいて,スピンフォノン相互作用は一次スピン緩和機構である。低温では,スピンフォノン緩和の不在はスピン蓄積の増大をもたらす。スピン蓄積は材料内の電熱輸送を変化させる可能性があり,従ってスピン媒介挙動を特性化するための研究ツールとして役立つ可能性がある。ここでは,Pd(1nm)/Ni_80Fe_20(25nm)/MgO(1nm)/p-Si(2μm)試料におけるスピン蓄積誘起電気-熱輸送挙動の最初の実験的証明を示した。スピン蓄積はスピンHall効果に起因する。スピン蓄積は,p-Siのフォノン熱輸送を変化させ,観測された磁気-電気-熱輸送挙動を引き起こす。スピン蓄積によるp-Siの傾斜スピン状態に起因する磁気特性化とは対照的に,低温での磁気抵抗測定における反転スイッチング挙動も観測した。スピン蓄積は電流に依存する異常Hall抵抗測定により解明され,電流が増加すると減少することを示した。この結果は,半導体および半導体スピントロニクスにおけるスピン媒介輸送挙動の分野における新しいパラダイムを開く可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピントロニクス ,  フォノン ,  *ケイ素 ,  *薄膜 ,  *磁気 ,  電流 ,  低温 ,  磁気抵抗 ,  キャラクタリゼーション ,  半導体 ,  スイッチング ,  緩和現象 ,  電気加熱
準シソーラス用語： スピン蓄積 ,  *熱輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  その他の接合  (BM03088W) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  Si薄膜 ,  スピン ,  磁気 ,  熱輸送 ,  挙動